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周东

作品数：56 被引量：27H指数：3
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 41篇专利
  • 7篇会议论文
  • 5篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...
  • 2篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 18篇探测器
  • 13篇紫外探测
  • 13篇肖特基
  • 12篇紫外探测器
  • 11篇4H-SIC
  • 10篇势垒
  • 10篇势垒层
  • 9篇雪崩
  • 9篇碳化硅
  • 8篇电极
  • 8篇光电
  • 8篇二极管
  • 7篇增强型
  • 7篇光电探测
  • 7篇光电探测器
  • 6篇氮化镓
  • 6篇半导体
  • 5篇终端
  • 4篇电场
  • 4篇雪崩光电探测...

机构

  • 56篇南京大学
  • 1篇南京邮电大学
  • 1篇江苏省光电信...
  • 1篇江苏理工学院
  • 1篇江苏新广联半...

作者

  • 56篇周东
  • 44篇陆海
  • 27篇任芳芳
  • 18篇周峰
  • 7篇陈启美
  • 6篇陈敦军
  • 6篇张荣
  • 6篇阮雅端
  • 6篇郑有炓
  • 6篇任芳芳
  • 3篇许榕
  • 2篇程亮
  • 2篇叶建东
  • 2篇陈林凯
  • 2篇高妍
  • 1篇杨名
  • 1篇柏宇
  • 1篇陈金艳
  • 1篇蒋士正

传媒

  • 2篇北京邮电大学...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇光源与照明
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 11篇2024
  • 6篇2023
  • 10篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 56 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS‑HEMT器件及其制备方法，基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS‑HEMT器件，包括自下而上依次设置的衬底、AlN成核层、AlGaN...
程亮陆海徐尉宗任芳芳周东
文献传递
一种级联型抗辐照GaN HEMT及其制作方法
本发明公开一种级联型抗辐照GaN HEMT及其制作方法，本发明在MIS结构GaN HEMT的栅极结构处制备局域刻蚀孔，并填入肖特基金属层，使得辐照感生载流子能够从肖特基金属层流出晶体管，避免由载流子积累导致的辐照损伤。肖...
周峰荣玉陆海徐尉宗周东任芳芳
一种浅刻蚀台面的新型4H-SIC紫外单光子雪崩光电探测器
报告了一种新型结构的4H-SIC雪崩单光子紫外光电探测器.应用于弱紫外探测的SIC雪崩光电探测器(APD)在军事以及航天等领域具有很大的潜在应用价值.从已经报道的文献来看,传统的基于4H-SIC材料的APD都是一种倾斜台...
李良辉周东杨森陆海
关键词：占空比
一种广谱可调超窄带通滤光系统
本发明公开了一种广谱可调超窄带通滤光系统。该系统包括具有缺陷模的一维光子晶体、级联光子晶体结构和多通道滤光通路；其中，具有缺陷模的一维光子晶体包括由高折射率介电材料和低折射率介电材料周期堆叠构成的布拉格反射结构、缺陷层和...
任芳芳刘泽森石娅婷刘兴华陆海徐尉宗周东王宜望
基于人工电磁材料的宽带吸波结构研究
人工电磁材料是指电磁参数可以人为调控的一类新型人工材料，其具有自然界材料所不具备的独特电磁特性，可用于对电磁波传播进行新的调控，是近年来的研究热点。　　本文通过原理分析、软件仿真与实验测量相结合，对基于人工电磁材料的电磁...
周东
关键词：人工电磁材料电磁波吸波结构
一种高响应度低暗电流PIN结构的4H-SiC紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种高响应度低暗电流PIN结构的4H‑SiC紫外探测器及其制备方法，一种高响应度低暗电流PIN结构的4H‑SiC紫外探测器，在上电极和上电极4H‑SiC欧姆接触层之间设有氧等离子体处理的4H‑SiC欧姆接触层...
周东陆海苏琳琳徐尉宗
文献传递
一种新型离子注入弧形钝化介质终端的4H-SiC雪崩光电探测器
本发明公开了一种新型离子注入弧形钝化介质终端的4H‑SiC雪崩光电探测器，抑制雪崩光电探测器件边缘电场强度的终端结构为弧形钝化介质终端。本发明终端通过区域离子注入和高温氧化工艺形成一种弧形钝化介质终端台面，解决了SiC ...
周东陆海徐尉宗任芳芳周峰
一种脉冲激光辐照宽禁带功率器件实验装置及测试方法
本发明公开了一种脉冲激光辐照宽禁带功率器件实验装置及测试方法，涉及宽禁带半导体辐照特性测试领域，所述装置包括光路耦合系统、电路测试系统、温度控制系统和交互控制系统；光路耦合系统控制激光入射参数，反馈待测宽禁带功率器件表面...
周峰周天扬陆海徐尉宗周东任芳芳
一种具有冲击能量释放能力的GaN HEMT晶体管及其制作方法
本发明公开一种具有冲击能量释放能力的GaN HEMT晶体管及其制作方法，属于半导体技术领域。晶体管包括自下而上依次设置的衬底层、氮化镓层、势垒层和栅极结构，势垒层两外侧的氮化镓层顶面分别设置有源极和漏极，栅极结构靠近源极...
周峰荣玉陆海徐尉宗周东任芳芳
高增益4H-SiC基PIN雪崩紫外光电探测器
4H-SiC基宽带隙半导体材料具有高热导率,高饱和迁移率,高辐射硬度,杰出的化学机械稳定性以及成熟的材料制备技术,成为制备高量子效率、低漏电流和高增益雪崩日盲紫外光电探测器的理想材料.
周东陆海任芳芳陈敦军张荣郑有炓
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