周毅
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 纳米级精细线条图形的微细加工被引量：3
- 2004年
- 对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的 ICP刻蚀技术进行了研究 ,形成一套以负性化学放大胶 SAL- 6 0 1为电子抗蚀剂的电子束光刻及 ICP刻蚀的优化工艺参数 ,并利用这些优化参数结合电子束邻近效应校正等技术制备出剖面形貌较为清晰的 30 nm精细线条图形 .
- 任黎明王文平陈宝钦周毅黄如张兴
- 关键词：微细加工电子束光刻邻近效应校正ICP刻蚀
- 用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术(英文)
- 2006年
- 介绍了一种用于高品质射频集成电感的厚膜多孔硅背向生长技术。ASITIC模拟证明厚膜多孔硅衬底能够显著提高射频集成电感的性能。采用背向生长技术成功地制备出了厚膜多孔硅包括穿透整个硅片的多孔硅,并证实了该技术作为后处理工艺应用于CMOS技术的可行性。ESEM对所制样品的表面和截面形貌进行了分析。通过多组实验,得出了多孔硅生长速度与腐蚀电流密度的准线性关系。
- 杨利周毅张国艳廖怀林黄如张兴王阳元
- 关键词：多孔硅电化学腐蚀后处理工艺
- 适用于高品质射频集成电感的多孔硅新型衬底制备技术被引量：2
- 2005年
- 提出了背向选区腐蚀生长多孔硅的集成电感衬底结构.ASITIC模拟证明,该新型衬底结构的集成电感在高频下仍具有较高的品质因子.采用此工艺,在固定腐蚀液配比的条件下,变化电流密度和阳极氧化时间,制备出了高质量的厚膜多孔硅,并测量了多孔硅的生长厚度、孔径大小和表面形貌,得出了多孔硅生长速率随阳极氧化时间和电流密度的变化关系,为背向选区腐蚀工艺制备高品质硅基集成电感奠定了理论和实验基础.
- 周毅杨利张国艳黄如
- 关键词：射频集成电路多孔硅集成电感品质因子
- 厚膜P型宏孔多孔硅阳极氧化电流优化(英文)
- 2006年
- 采用电化学腐蚀的方法成功地制备了厚膜p型宏孔多孔硅。氢氟酸和二甲基甲酰胺按体积比1:4组成电化学腐蚀的溶液。通过在不同条件下制备的多组样品,得出了多孔硅生长速度与电流密度以及腐蚀厚度与腐蚀时间的函数关系。通过ESEM对所制样品进行了表面和截面形貌分析,得出30mA/cm2～50mA/cm2的阳极电流密度是制备高质量厚膜p型宏孔多孔硅的最佳条件。
- 杨利张国艳周毅廖怀林黄如张兴王阳元
- 关键词：二甲基甲酰胺多孔硅电化学腐蚀
