曲越
- 作品数：7 被引量：2H指数：1
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- GaAs HEMT低噪声放大器设计
- 分析了低噪声放大器稳定性、噪声系数等重要技术指标，论述了低噪声放大器(LNA)及兰格耦合器的设计方法。根据设计指标选择富士通公司的FHX14LG(GaAs HEMT)低噪声放大管，利用Smith圆图进行了匹配电路的设计。...
- 何琳李德昌姜雨男曲越
- 关键词：LNA平衡放大器低噪声放大器匹配电路噪声系数
- 文献传递
- 图形化SOI LDMOS跨导特性的研究
- 借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度四个结构工艺参数对图形化SOI LDMOS跨导gm的影响。文章指出了对跨导gm有...
- 曲越李德昌
- 关键词：半导体器件栅氧化层漂移区
- 文献传递
- 新型SCR-LDMOS静电放电保护结构
- 研究了一种新的具有ESD自保护结构的SCR-LDMOS,它是通过在漏极加入P+扩散对传统LDMOS结构的改进.模拟了器件的击穿特性并分析了二次电流It2提高的原因。ISE软件模拟结果表明:该结构具有良好的开启态,二次击穿...
- 习毓李德昌曲越
- 关键词：电子器件静电放电
- 文献传递
- SOI-LDMOS器件的结构设计
- 射频/(RF/)电路的应用越来越多,以横向双扩散金属-氧化物场效应晶体管/(LDMOS/)技术为基础的功率晶体管作为RF电路的重要组成部分,在整个RF电路中起着重要的作用。体硅技术的LDMOS具有随着漏电压变化而且较高的...
- 曲越
- 关键词：SOI-LDMOS图形化SOI跨导电容
- 文献传递
- 漂移区的改进对SOI LDMOS频率特性的影响
- 借助ISE软件，以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台，采用Step LDD结构、层叠LDD结构、阶梯掺杂结构以及“鸟嘴”结构来降低输出电容，提高器件的频率特性。模拟结果表明：这4种方法最多可分别...
- 曲越李德昌习毓姜雨男何琳
- 关键词：漂移区输出电容
- 文献传递
- 新型SCR-LDMOS输出端的静电放电保护结构
- 2007年
- 研究了一种新的具有ESD自保护结构的SCR-LDMOS,它是通过在漏极加入P+扩散对传统LDMOS结构的改进.模拟了器件的击穿特性并分析了二次电流It2提高的原因.ISE软件模拟结果表明:该结构具有良好的开启态,二次击穿电流和ESD耐压是传统LDMOS的8.5倍;关闭态有比较高的BVDB可以满足使用的要求.
- 习毓李德昌曲越
- 关键词：LDMOSESD
- 图形化SOI LDMOS跨导特性的研究被引量：2
- 2007年
- 借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度四个结构工艺参数对图形化SOI LDMOS跨导gm的影响.文章指出了对跨导gm有影响的因素,并为降低跨导应该进行的参数调节提供了参考.
- 曲越李德昌习毓
- 关键词：LDMOS跨导栅氧化层漂移区
