2024年8月23日
星期五
|
欢迎来到青海省图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
林兰
作品数:
4
被引量:6
H指数:1
供职机构:
浙江大学
更多>>
发文基金:
国家自然科学基金
国家教育部博士点基金
更多>>
相关领域:
理学
一般工业技术
电子电信
更多>>
合作作者
赵炳辉
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
叶志镇
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
吕建国
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
龚丽
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
别勋
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
2篇
专利
1篇
期刊文章
1篇
学位论文
领域
1篇
电子电信
1篇
一般工业技术
1篇
理学
主题
4篇
P型
4篇
P型ZNO
3篇
退火
2篇
施主
2篇
受主
2篇
晶体
2篇
晶体薄膜
2篇
晶体质量
2篇
溅射
2篇
溅射法
2篇
P型ZNO薄...
2篇
磁控
2篇
磁控溅射
2篇
磁控溅射法
1篇
导体
1篇
射频磁控
1篇
射频磁控溅射
1篇
射频磁控溅射...
1篇
射频反应磁控...
1篇
禁带
机构
4篇
浙江大学
作者
4篇
林兰
3篇
龚丽
3篇
吕建国
3篇
叶志镇
3篇
赵炳辉
1篇
别勋
传媒
1篇
发光学报
年份
1篇
2011
3篇
2010
共
4
条 记 录,以下是 1-4
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
退火生长Na-N共掺p型ZnO晶体薄膜的方法
本发明公开的退火生长Na-N共掺p型ZnO薄膜的方法,先以Na<Sub>2</Sub>O-ZnO陶瓷靶为靶材,靶材中钠的摩尔含量为0.5%,以纯N<Sub>2</Sub>O和纯Ar为溅射气氛,采用射频反应磁控溅射法,在1...
叶志镇
林兰
龚丽
吕建国
赵炳辉
文献传递
退火生长Na-N共掺p型ZnO晶体薄膜的方法
本发明公开的退火生长Na-N共掺p型ZnO薄膜的方法,先以Na<Sub>2</Sub>O-ZnO陶瓷靶为靶材,靶材中钠的摩尔含量为0.5%,以纯N<Sub>2</Sub>O和纯Ar为溅射气氛,采用射频反应磁控溅射法,在1...
叶志镇
林兰
龚丽
吕建国
赵炳辉
文献传递
射频磁控溅射法制备Na-N共掺p型ZnO薄膜及其性能的研究
氧化锌(ZnO)是一种II-VI族直接带隙宽禁带半导体,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。ZnO在光电、压电和热电等诸多领域都有其独特的性能,具有十分广阔的应用空间和发展潜力。特别是在光电领域,ZnO...
林兰
关键词:
射频磁控溅射法
文献传递
射频反应磁控溅射法退火生长Na-N共掺杂p-ZnO薄膜
被引量:6
2010年
采用射频反应磁控溅射法退火生长得到了Na-N共掺杂p-ZnO薄膜。XRD测试结果表明,退火前后均得到c轴择优取向的ZnO薄膜。Hall测试结果表明:退火后薄膜的电学性能明显改善,得到了p-ZnO薄膜,退火温度为450℃时取得最佳电学性能:室温电阻率为139.2Ω.cm,迁移率为0.2cm2.V-1.s-1,空穴浓度为2.5×1017cm-3。XPS分析表明:Na掺入ZnO中作为受主NaZn而存在,N主要以N—H键的形式存在,其受主NO的作用不明显,但是否存在NaZn-NO受主复合体,还需进一步的研究。
林兰
叶志镇
龚丽
别勋
吕建国
赵炳辉
关键词:
射频反应磁控溅射
P型ZNO薄膜
退火
全选
清除
导出
共1页
<
1
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张