- 静电感应晶体管高频功率参数的控制
- 1999年
- 以对静电感应晶体管（ＳＩＴ）的直流参数的研究为基础，详细研究了与ＳＩＴ高频性能有关的参数的控制与调节。在高频状态下，器件引线寄生电感的影响变得严重，使得对器件的封装有了新的要求，本文对这一问题也进行了探讨。
- 孟雄晖李思渊姜岩峰
- 关键词：SIT功率增益封装静电感应晶体管
- 静电感应器件(SID)动态性能的物理研究
- 首先对静电感应器件的基本器件物量进行了概念性阐述,对静电感应器件家族中的主 要成员静电感应晶体管(SIT)、双极型静电感应晶体管(BSIT)和静电感应晶闸管(SITH)其结 构特点和I-V特性做了描述,并且介绍了静电感应...
- 姜岩峰
- 关键词：静电感应器件静电感应晶体管静电感应晶闸管五极管
- 文献传递
- 用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn^+pp^+结构钝化的分析被引量：2
- 2000年
- 用半绝缘多晶硅 ( SIPOS) - Si O2 复合层作为 4H- Si C n+ pp+结构的钝化层 ,克服了用多孔碳化硅或单纯用 Si O2 钝化的不足 .在 LPCVD淀积 SIPOS层后 ,用 90 0℃氧气氛退火代替了平常的热氧化 ,在 SIPOS层上生长了一层 Si O2 .实际测量证实了这种新方法的合理性 .分析了各主要工艺对钝化效果的影响 ,综合优化指出 :在淀积 SIPOS层时 ,掺氧量要高 ,而淀积温度不应太高 .用此方法钝化的 4H- Si C n+ pp+ 结构 ,击穿电压接近理想值 。
- 姜岩峰李思渊刘肃曹磊薄建军
- 关键词：复合层钝化层SIPOS
- 静电感应晶闸管的工艺控制和参数调节
- 2000年
- 以静电感应晶闸管(SITH)的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对SITH主要性能参数的影响,并分析了其原因。
- 孟雄晖李思渊姜岩峰
- 关键词：静电感应晶闸管
- SITH负阻转折特性的分析模型
- 2000年
- 提出了一个用于分析 SITH正向阻断态的新模型。这个模型在结构上类似于 SCR。这样 ,就可以把SITH的二维分析简化为 SCR的一维分析。我们应用了这个模型来分析 SITH的负阻特性并且计算出了阳极正向转折电压 ,计算结果与实际测量值相符合 。
- 姜岩峰李思渊刘肃
- 关键词：分析模型
- 双极型静电感应晶体管的温度特性被引量：1
- 1999年
- 通过双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）与普通双极型晶体管（ＢＪＴ）温度特性的对比，研究了ＢＳＩＴ的温度特性。由实验看出，影响ＢＳＩＴ温度特性的主要因素是载流子迁移率μ和由源极越过势垒的电子数目ｎ。以此可解释几个在观察ＢＳＩＴ温度特性时所遇到的现象。
- 朱淑玲姜岩峰
- 关键词：双极型静电感应晶体管温度特性迁移率BSIT
- 全文增补中
- 静电感应器件SIT(H)器件物理和关键技术的基础研究
- 孟雄晖姜岩峰李思渊何山虎刘瑞喜等
- 该成果以静电感应晶闸管(SITH)为主，对SID的结构、I-V特性、电参数等重要方面进行了全面的研究；给出了SITH的阻断态解析分析方法及结果；提出了对于静电感应器件的统一数值分析方法；进行了1500V/100A电力SI...
- 关键词：
- 关键词：静电感应器件
- SiC/SiO2超晶格的蓝光发射研究
- 利用RF共溅射的方法，制备了SiC/SiO2多层膜，测量了样品的光致发光(PL)谱和光激发(PLE)谱，并观察到室温下的蓝光发射现象。改变势阱层的厚度，观察430nm的蓝光峰的蓝移现象。我们又进行了光致发光峰(PL)在外...
- 张静姜岩峰刘文楷刘雪芹王印月
- 关键词：超晶格蓝光发射蓝移
- 文献传递
- 静电感应器件及其制造方法
- 本发明公开一种静电感应器件及其制造方法，特别是一种用于电力静电感应器件及其制造方法。本发明是用高阻单晶的衬底材料表面上形成绝缘层，再在绝缘层上刻出第一扩散窗口，以扩散或注入方式形成栅区及栅墙，在所有一次扩散区的表层进行补...
- 李思渊何山虎刘瑞喜孟雄晖刘肃杨建红姜岩峰孙志军王林马中华曹磊马淑萍芦小莹任立杨利成毕祥林黄仕琴薛传明张明兰梁元涛
- 文献传递
- 双极型静电感应晶体管开关时间的测量与分析
- 1998年
- 从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子，从而简化了分析影响ＢＳＩＴ开关时间的因素，对于ＢＳＩＴ的实际工艺、结构设计有指导意义。
- 姜岩峰李思渊李海蓉刘肃
- 关键词：BSIT开关时间势垒双极型静电感应晶体管
