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李海鹏

作品数：7 被引量：5H指数：1
供职机构：湖南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信环境科学与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇环境科学与工...

主题

  • 3篇MOSFET
  • 2篇电流振荡
  • 2篇电路
  • 2篇中间量
  • 2篇数字处理器
  • 2篇双氧水
  • 2篇损耗
  • 2篇驱动电路
  • 2篇污泥
  • 2篇污泥脱水
  • 2篇漏极
  • 2篇漏极电流
  • 2篇逻辑控制
  • 2篇逻辑控制电路
  • 2篇逻辑判断
  • 2篇门极
  • 2篇开关损耗
  • 2篇开通
  • 2篇辅助电路
  • 1篇短路

机构

  • 7篇湖南大学

作者

  • 7篇李海鹏
  • 4篇刘平
  • 2篇黄守道
  • 1篇柯水洲

传媒

  • 1篇安全与环境工...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种改善驱动性能的SiC MOSFET主动驱动电路
本发明公开了一种改善驱动性能的SiC MOSFET主动驱动电路，本发明引入了漏极电流I<Sub>D</Sub>和漏源极电压V<Sub>ds</Sub>的瞬时变化状态对SiC MOSFET的开关过程状态进行判断，通过逻辑判...
刘平李海鹏黄守道陈梓健陈常乐
文献传递
基于化学溶胞改善污泥脱水性能的试验研究被引量：5
2015年
基于化学溶胞技术，分别考察了双氧水、Fenton试剂、高铁酸钾、次氯酸钠4种强氧化剂对污泥脱水性能的影响，通过污泥脱水效果和药剂成本比较确定调理污泥的最佳氧化剂为双氧水，并通过正交试验研究了双氧水调理污泥的影响因素和最佳条件。结果表明：对污泥脱水性能影响较大的因素为双氧水投加量、污泥初始pH值和污泥初始浓度，而调理时间和温度则影响较小；双氧水调理污泥时的最佳条件为30％双氧水投加量为0．15mL／g、污泥初始pH值为3、调理温度范围为10～30℃、调理时间为1h、污泥初始浓度为12000mg／L；在最佳条件下，泥饼含水率和污泥比阻相比空白样分别降低了12．40％和64．25％。
柯水洲李海鹏陈小龙
关键词：污泥脱水性能双氧水高铁酸钾次氯酸钠
SiC MOSFET模块的有源栅极驱动与快速短路保护研究
电气化交通、能源互联网、新一代移动通信等产业的发展转型对电力电子设备提出了更高的要求,如更高效率、更高功率密度和更高可靠性,而现有硅基功率半导体器件的性能难以满足发展需求。碳化硅(Silicon carbide,SiC)...
李海鹏
关键词：振荡短路保护
好氧消化和双氧水氧化技术改善污泥脱水性能试验研究
随着污水生物处理技术的普及，需要进行处理和处置的污泥量也会急剧增加，污泥若直接进行机械脱水，泥饼含水率仍高达80％左右，而中国固体废物的填埋标准为含水率小于60%。因此，仅仅进行污泥的机械脱水是远远不够的，采取有效的调理...
李海鹏
关键词：污泥脱水好氧消化气浮浓缩
文献传递
一种高开通性能的SiC MOSFET驱动电路
本发明公开了一种高开通性能的SiC MOSFET驱动电路，该所述驱动电路包括与栅极电阻R<Sub>g</Sub>相互并联的变栅极电阻辅助电路，栅极电阻R<Sub>g</Sub>的一端连接到PWM驱动电路的输出端，另外一端...
刘平陈梓健李海鹏
文献传递
一种改善驱动性能的SiC MOSFET主动驱动电路
本发明公开了一种改善驱动性能的SiC MOSFET主动驱动电路，本发明引入了漏极电流I<Sub>D</Sub>和漏源极电压V<Sub>ds</Sub>的瞬时变化状态对SiC MOSFET的开关过程状态进行判断，通过逻辑判...
刘平李海鹏黄守道陈梓健陈常乐
文献传递
一种高开通性能的SiC MOSFET驱动电路
本发明公开了一种高开通性能的SiC MOSFET驱动电路，该所述驱动电路包括与栅极电阻R<Sub>g</Sub>相互并联的变栅极电阻辅助电路，栅极电阻R<Sub>g</Sub>的一端连接到PWM驱动电路的输出端，另外一端...
刘平陈梓健李海鹏
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