田原
- 作品数：13 被引量：11H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程机械工程更多>>
- 超薄硅双面抛光片加工效率的提升
- 2023年
- 用于5G通信芯片支撑层的超薄硅双面抛光片的生产是一个需要攻克的难题。该产品的技术难点在于,硅片厚度低至100μm,薄如纸张,采用传统粘蜡抛光工艺,加工效率极低且碎片率极高,同时硅片几何参数无法保证,成品率较低。由于磨削工艺可有效减少硅片表面的损伤层、改善几何参数,所以针对超薄硅片的加工,采用贴膜抛光工艺可以保证抛光的效率和成品率。在硅片腐蚀后采用磨削+贴膜抛光的工艺,解决了超薄硅双抛片加工效率低、碎片率高、几何参数难以保证、成品率低的问题。
- 田原刘雪松杨玉梅杨春颖樊树斌
- 关键词：硅片
- 硅单晶片损伤层对抛光去除量的影响研究
- 2015年
- 硅单晶片是制作集成电路及分立器件的基础材料,随着集成电路不断向小线宽、低成本方向发展,对于硅单晶片的质量水平和成本控制提出了更高的要求。研究表面损伤层与抛光去除量的关系,能够有效控制抛光去除量的大小,对于提高抛光片表面质量、控制生产成本、优化工艺条件具有重要的意义。通过恒定腐蚀法与化学机械抛光法相结合的方式分析了损伤层深度与去除量的关系,研究发现研磨片、碱腐蚀片和酸腐蚀片的表面损伤层深度依次降低,但均小于抛光去除量,依据损伤层模型,提出了抛光去除量取决于腐蚀后表面晶胞状况的观点。
- 王云彪田原杨召杰郭亚坤
- 关键词：硅单晶片损伤层
- 超薄锗片粘蜡工艺研究
- 2018年
- 超薄锗片是制作多结空间太阳能电池的主要衬底材料,随着空间卫星技术的不断发展,对高质量超薄锗抛光片的需求量正在逐年增加。粘蜡抛光是获得高平整度抛光片的主要手段,也是未来超薄大尺寸锗单晶片加工的必然选择。从涂蜡参数、烘烤条件、翻转吸头和压头参数影响等方面,研究蜡层厚度及均匀性和粘蜡后表面形变问题,通过调整参数,重新设计翻转吸头,确定了适合超薄锗片的粘蜡工艺,获得了高平整度的锗抛光片。
- 王云彪陈雅楠田原耿莉
- 关键词：抛光片
- 硅化学腐蚀片电容法测厚与机械法测厚差异的原因分析被引量：3
- 2016年
- 在硅片厚度测量工作中,发现硅化学腐蚀片采用机械测厚和电容法测厚所得的数据存在差异,通过一系列对比实验对这一差异产生的原因进行了合理分析。首先,以硅抛光片作为对比,分别测试了硅抛光片与硅化学腐蚀片在采用两种测厚方法测厚时的数值并计算出其差值。针对这一差值,在分别对硅化学腐蚀片及硅抛光片的表面状况进行分析后,认为较粗糙和平整度较差的表面状况是造成硅化学腐蚀片采用电容法测厚与机械法测厚出现差异的主要原因。
- 田原杨静王云彪
- 关键词：硅抛光片
- 铌酸锂晶片抛光的主要物理及化学因素分析被引量：1
- 2017年
- 光学器件的飞速发展对基体材料铌酸锂不断提出更高要求。为获得满足器件使用要求的超光滑、高平整晶片表面,采用化学机械抛光方法对铌酸锂进行加工。研究过程中,对负载压力、抛光布表面结构、抛光液流量、p H值等工艺参数进行了优化调整,最终制备出平整度较高、表面粗糙度较小的铌酸锂抛光片。实验结果表明,选取Suba 600抛光布、液流量3 m L/s、p H值为10、底盘转速60 r/min、压力为0.16 MPa作为抛光工艺参数可获得高平整、超光滑的铌酸锂抛光片。平面度测量仪与原子力显微镜测试结果表明,所制备LN抛光片的总厚度变化(TTV)为6.398μm,粗糙度(Ra)为0.196 nm。
- 杨静杨洪星韩焕鹏王雄龙田原范红娜张伟才
- 关键词：铌酸锂化学机械抛光粗糙度
- 酸腐蚀工艺对硅片表面粗糙度的影响
- 2024年
- 为了缩减工艺成本,提高硅片表面光泽度,降低表面粗糙度,降低表面金属含量,提高生产效率,对HNO_(3)∶HF∶CH_(3)COOH混合酸体系的反应机理进行了分析,通过改变酸腐蚀去除量,腐蚀液温度等工艺参数可有效控制超薄硅片腐蚀反应速度,降低表面粗糙度,提高表面光泽度。发现去除量达到100μm以后,表面粗糙度可达到0.065μm,同一条件下,腐蚀液温度为45℃时,表面粗糙度最小,反射率最高。
- 于妍康洪亮张贺强田原
- 关键词：单晶硅片酸腐蚀粗糙度
- 抛光垫使用寿命对硅单晶片抛光质量影响的研究被引量：3
- 2015年
- 化学机械抛光技术已经在超大规模集成电路制造中得到广泛应用,主要用于加工超光滑无损伤的硅单晶衬底和对晶片进行局部和全局平坦化。虽然在化学机械抛光技术中影响硅片抛光效果的因素有很多,但抛光垫是影响抛光效果的关键因素之一。研究了抛光垫使用时间和相应时间硅片的抛光效果之间的关系,指出可通过在抛光过程中控制抛光垫的使用时间,对抛光的工艺参数进行更好的调整。
- 张春翔陈亚楠田原杨召杰付旸
- 关键词：化学机械抛光抛光垫抛光效果
- 重掺硅片表面APCVD法生长SiO_(2)薄膜的致密性
- 2024年
- 在硅片加工过程中,金属杂质的存在会增大pn结器件的漏电流,甚至直接导致pn结禁带宽度变窄,为防止出现硅外延过程中造成的自掺杂现象,通常在硅片表面生长一层高致密性的SiO_(2)薄膜。基于常压化学气相沉积(APCVD)法在6英寸(1英寸≈2.54 cm)n型硅片表面生长SiO_(2)薄膜,首先研究不同沉积温度、SiH_(4)和O_(2)的体积流量比对沉积速率和SiO_(2)薄膜致密性的影响,进一步探究了不同退火温度对SiO_(2)薄膜致密性的影响,以期获得致密性较高的SiO_(2)薄膜。采用HF腐蚀速率法表征其致密性,采用扫描电子显微镜(SEM)观察SiO_(2)薄膜的表面形貌,采用F50膜厚测试仪测试SiO_(2)薄膜的厚度。结果表明,沉积温度为400℃,SiH_(4)和O_(2)的体积流量比为1∶10,退火温度为1100℃时,制备的SiO_(2)薄膜的致密性为0.096 nm/s(采用体积分数为1%的HF腐蚀)。
- 史延爽王浩铭田原张旭武永超
- 关键词：致密性自掺杂
- 锗抛光片清洗工艺研究被引量：1
- 2015年
- 采用紫外线/臭氧技术氧化锗抛光片表面,取代传统的H2O2氧化工艺,之后使用盐酸稀溶液清洗。研究发现当采用波长为253.7 nm和184.9 nm的紫外线光源与臭氧同时作用,并在尽可能靠近锗抛光片表面时,经过30 s的反应时间即可实现对锗抛光片的最佳氧化效果。利用雾值检测对锗抛光片表面质量进行评价,当锗抛光片经过盐酸:H2O=1:50的溶液处理60 s后,可有效地去除抛光片表面的锗氧化物。
- 郭亚坤陈晨田原范红娜王云彪
- 关键词：清洗技术
- 硅片酸腐蚀影响因素的正交实验被引量：1
- 2017年
- 设计了正交实验,探究了腐蚀温度、辊筒转速、鼓泡时间、提臂摇动速率与腐蚀速率和TTV变化的影响;发现酸腐蚀过程中,宜设置适中的温度、较长的鼓泡时间以保证腐蚀速率和几何参数。
- 李晶田原
- 关键词：硅片酸腐蚀正交实验
