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李坤林

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇氧化层
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇碳化硅
  • 2篇功率
  • 2篇高频
  • 2篇高频特性
  • 2篇氧
  • 2篇场强
  • 2篇高功率
  • 1篇电流增益
  • 1篇短路
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇增益
  • 1篇栅结构
  • 1篇视频
  • 1篇视频采集
  • 1篇视频流
  • 1篇数字信息
  • 1篇瞬态

机构

  • 6篇电子科技大学

作者

  • 6篇李坤林
  • 4篇陈航
  • 4篇张有润
  • 3篇张波
  • 3篇王帅

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
1.2kV碳化硅MOSFET瞬态可靠性研究
2020年
随着碳化硅MOSFET器件在功率变换领域的广泛应用,碳化硅MOSFET器件的瞬态可靠性问题成为研究热点。文章主要研究了1200 V SiC MOSFET瞬态可靠性的测试与表征。通过搭建短路和UIS测试通用的测试平台进行实验,对短路和UIS失效机理进行分析。通过对商用器件进行重复性测试,研究器件在两种瞬态可靠性测试下性能退化情况,对器件内部退化机理进行合理的分析。
钟炜张有润李坤林杨啸陈航
关键词：短路UIS
3300V SiC MOSFET器件设计与新结构研究
近年来，随着半导体技术的迅速发展，传统硅基器件性能已经逼近其理论极限。在难以大幅度地优化硅基器件性能背景下，碳化硅功率器件因其大电流、高电压、高频率、低损耗的特点，能够显著的提升系统的性能而备受青睐。特别是在高效能源转换...
李坤林
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管静态特性
文献传递
一种双极结型晶体管
本发明涉及一种双极结型晶体管，属于高功率半导体技术领域。本发明主要通过碳化硅和硅的键合，形成了两个异质结面，具体为，P型基区和N+发射区采用键合技术形成异质结，P型基区和N‑集电区采用键合技术形成异质结，异质发射结注入电...
张有润李坤林王帅钟炜陈航杨啸张波
文献传递
基于图像处理实时识别视频流中数字信息的研究与实现
在某侦察系统中，无人机搜索目标，在视频中实时叠加目标坐标信息字幕后，传到处理系统，处理系统根据需要截取相关画面，录入相关信息形成情报。由于无法自动获取目标坐标信息，需要人工从视频图像中读取再录入，增加了情报录入时间和出错...
李坤林
关键词：视频采集灰度变换图像增强字符识别
一种碳化硅MOS场效应晶体管
本发明涉及一种碳化硅MOS场效应晶体管，属于高功率半导体技术领域。本发明MOSFET的P型基区突出进入到JFET区0.3um，在反向状态的时候，进入JFET区的P型基区起到屏蔽电场，且保护场氧的作用。本发明器件的栅氧最高...
张有润李坤林王帅钟炜陈航杨啸张波
文献传递
一种碳化硅MOS场效应晶体管
本发明涉及一种碳化硅MOS场效应晶体管，属于高功率半导体技术领域。本发明MOSFET的P型基区突出进入到JFET区0.3um，在反向状态的时候，进入JFET区的P型基区起到屏蔽电场，且保护场氧的作用。本发明器件的栅氧最高...
张有润李坤林王帅钟炜陈航杨啸张波
文献传递
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