周祥
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 供职机构：武汉工程大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术更多>>
- 单晶金刚石制备研究进展被引量：5
- 2012年
- 相对于多晶金刚石,单晶金刚石具有质量好和纯度高等优点,并且不存在多晶金刚石中的不规则晶界,因此在半导体和机械等行业具有广泛的应用。本文简要介绍了单晶金刚石的制备方法和主要应用领域,并对国内外采用高温高压法和化学气相沉积法制备单晶金刚石的研究成果和最新研究进展进行了综合评述。与高温高压法相比,化学气相沉积法可以高速合成大面积、高质量的单晶金刚石,因此是人工合成单晶金刚石的研究热点。单晶金刚石主要用作切削刀具、光学材料、半导体及电子器件和首饰等。随着大单晶金刚石合成技术的进一步发展,金刚石的应用范围和市场将会更加宽广。
- 周祥汪建华熊礼威李伟
- 关键词：单晶金刚石化学气相沉积高温高压
- 氧气和形核密度对金刚石薄膜生长的可控性研究被引量：1
- 2013年
- 在2 kW微波等离子体化学气相沉积装置中,以CH4,H2和O2为反应气体制备金刚石膜,主要研究氧气和形核密度对金刚石膜表面形貌和生长速率的影响。在实验过程中,O2的掺入对相同形核密度表面形貌、质量有影响,其中氢气与甲烷在形核时的体积浓度比为200∶6,生长时的体积浓度比为200∶4,通入0.2 mL/min的O2有助于增大表面金刚石颗粒,并提高金刚石膜的质量,在拉曼表征中只有一个金刚石特征峰。采用不同形核密度时,氧气的通入促进金刚石膜的沉积,并能抑制非晶C的沉积,因为沉积过程中的非晶C质量分数急剧下降,从而提高金刚石膜的生长速率,由1μm/h提高到了1.5μm/h。
- 周祥汪建华翁俊李伟
- 关键词：金刚石膜形核氧气生长速率
- 工艺参数对金刚石膜生长的影响
- 化学气相沉积(CVD)法制备的金刚石膜具备天然金刚石的诸多优异性能，在许多领域具有极好的应用前景。研究表明，CVD金刚石膜的性能受其晶面取向、晶粒大小和sp3碳含量等的影响较大，而这些结构特性都可以通过对生长条件的系统研...
- 周祥
- 关键词：金刚石膜化学气相沉积碳源浓度
