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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇亚胺
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  • 1篇闪络电压
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  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘子
  • 1篇辉光
  • 1篇辉光放电

机构

  • 1篇西安交通大学
  • 1篇西北核技术研...

作者

  • 1篇张佳
  • 1篇张乔根
  • 1篇赵军平
  • 1篇曾凡辉
  • 1篇程杰

传媒

  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 1篇2016
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
辉光放电预处理对聚酰亚胺绝缘子真空沿面闪络电压的影响被引量:1
2016年
为提高绝缘子的真空沿面闪络电压,采用氩气下辉光放电对绝缘子进行处理,研究了辉光放电频率、放电电流大小和处理时间对绝缘子真空闪络电压的影响。结果表明,辉光放电能极大提高绝缘子的真空闪络电压。未处理的绝缘子真空闪络电压为55kV左右;经高频辉光放电预处理40min后,绝缘子真空闪络电压达到100kV;经工频辉光放电预处理40min后,绝缘子真空闪络电压可达125kV,高出高频下25kV;同时,辉光放电电流(数十mA)越大,处理后的绝缘子真空闪络电压越高,但随着辉光放电电流的增大,闪络电压的增加幅度趋于饱和。
曾凡辉赵军平张佳张乔根程杰
关键词:聚酰亚胺真空闪络辉光放电
共1页<1>
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