您的位置： 专家智库 > >

隋华

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学物理系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇半导体
  • 2篇NA
  • 1篇导体
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇光电子能谱研...
  • 1篇硅表面
  • 1篇半导体结构
  • 1篇NE
  • 1篇NEXAFS
  • 1篇SI(111...
  • 1篇XAFS研究
  • 1篇钠

机构

  • 2篇浙江大学
  • 2篇中国科学技术...

作者

  • 2篇范朝阳
  • 2篇徐世红
  • 2篇张训生
  • 2篇徐亚伯
  • 2篇隋华
  • 1篇唐景昌
  • 1篇鲍世宁
  • 1篇徐彭寿
  • 1篇潘海斌

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇1997
  • 1篇1996
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
Na/Si(111)3×1表面的NEXAFS研究
1997年
利用同步辐射光源测量Ｎａ２ｓ二次电子部分产额谱得到Ｎａ诱导Ｓｉ（１１１）３×１结构的近边Ｘ射线吸收精细结构（ＮＥＸＡＦＳ）谱，并用原子集团多重散射方法对几种可能的模型进行计算，与实验结果比较，认为Ｎａ／Ｓｉ（１１１）３×１吸附结构与Ｍｎｃｈ模型相一致．Ｎａ原子吸附在Ｓｉ的顶位，Ｎａ—Ｓｉ键长为０３ｎｍ．
范朝阳张训生唐景昌隋华徐亚伯徐世红潘海斌徐彭寿
关键词：半导体结构NEXAFS
Na在Si(111)表面(3×1)有序吸附结构的光电子能谱研究
1996年
分析了Si(111)7×7表面上Na(3×1)有序吸附的同步辐射光电子能谱的变化,并与Paggel等的扫描隧道显微镜和光电子能谱比较,得出Na吸附在类余留原子(rest atom)的位置,支持Mnch的模型,与室温下无序吸附Na的光电子能谱相比较,得出Na-Si界面肖特基势垒形成是由Na与Si原子之间的相互作用决定,与表面构形是否有序关系不大,势垒高度与MIGS理论预计值相符。
张训生范朝阳隋华鲍世宁徐亚伯徐世红潘海斌徐彭寿
关键词：硅表面钠半导体光电子能谱
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0