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付勇

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅膜
  • 1篇场发射阴极

机构

  • 1篇华东师范大学

作者

  • 1篇汤世豪
  • 1篇徐静芳
  • 1篇袁美英
  • 1篇李琼
  • 1篇付勇

传媒

  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇1993
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅薄膜场发射阴极的制造和性能被引量：5
1993年
本文评述了薄膜场发射阴极的一般制造方法后,介绍了我们的制造技术。我们用硅材料为基体,用各向同性的湿法化学腐蚀工艺制出尖端,用氧化增尖和自对准栅极工艺制成TFFEC—薄膜场发射阴极。外加阳极就构成了三极管。本文给出了TFFEC和三极管的测试性能。
李琼袁美英汤世豪徐静芳付勇张锻吴俊雷
关键词：场发射阴极硅膜
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共1页<1>
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