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陈孔军

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇稀土
  • 2篇离子注入
  • 2篇发光
  • 2篇INP
  • 1篇退火
  • 1篇铕离子
  • 1篇稀土元素
  • 1篇稀土族
  • 1篇离子
  • 1篇磷化铟
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光特性
  • 1篇GAAS

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇王舒民
  • 2篇章蓓
  • 2篇陈孔军
  • 1篇丁晓民
  • 1篇李仪

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Er离子在InP、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰被引量：2
1993年
分别在InP、GaAs和Si中以7×10^(14)和1×10^(15)cm^(-2)的剂量进行Er离子注入,并采用闭管、快速和炉退火等热处理。低温光致发光(PL)、反射式高能电子衍射(RHEED)和卢瑟福背散射(RBS)实验研究表明,上述样品中Er^(3+)离子特征发光的中心波长均出现在1.54μm处,其中InP的发光峰最强,而注入损伤的恢复是影响Er^(3+)发光的重要因素之一。RBS分析进一步证实退火后Er原子在Si中向表面迁移,而在InP中的外扩散较小,并比较了Er在InP和Si晶格中的占位情况。
章蓓陈孔军王舒民虞丽生郑婉华徐俊英徐天冰朱沛然盖秀贞
关键词：光致发光离子注入铕离子稀土族
稀土Er离子注入InP的退火及发光特性
1994年
利用离子注入法，以７×１０１４／ｃｍ２和１×１０１５／ｃｍ２的剂量对ＩｎＰ进行稀土元素Ｅｒ的掺杂，采用了两种未加淀积膜覆盖的退火方式，在１０Ｋ下均观测到ＩｎＰ中Ｅｒ３＋１．５４μｍ特征光致发光峰．光致发光（ＰＬ）和反射式高能电子衍射给出发光强度和晶格恢复程度与退火条件的依赖关系，结果表明Ｅｒ３＋在ＩｎＰ中的光激活性在很大程度上取决于ＩｎＰ晶格的恢复．
章蓓陈孔军王舒民丁晓民虞丽生郑婉华徐俊英李仪
关键词：磷化铟稀土元素离子注入发光
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