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王波

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第三十八研究所更多>>
相关领域：文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇文化科学
  • 1篇电子电信

主题

  • 9篇封装
  • 4篇塑封
  • 4篇封装结构
  • 3篇无源
  • 3篇无源器件
  • 3篇芯片
  • 3篇金丝键合
  • 3篇键合
  • 2篇倒装焊
  • 2篇电路
  • 2篇三维封装
  • 2篇射频
  • 2篇射频芯片
  • 2篇同一条直线
  • 2篇同轴
  • 2篇耦合电路
  • 2篇微波毫米波
  • 2篇互连
  • 2篇集成度
  • 2篇寄生效应

机构

  • 11篇中国电子科技...

作者

  • 11篇王波
  • 9篇马强
  • 6篇唐亮
  • 5篇杨静
  • 2篇李佩
  • 2篇陈兴国
  • 2篇段宗明
  • 2篇胡国俊
  • 1篇闵志先
  • 1篇赵潇
  • 1篇兰欣
  • 1篇王光池
  • 1篇刘勇
  • 1篇彭超
  • 1篇张加波
  • 1篇陈利杰
  • 1篇潘茂云
  • 1篇陈利杰
  • 1篇赵以贵

传媒

  • 1篇电子技术（上...

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2018
  • 5篇2016
  • 3篇2015
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于MCM的单片雷达数字收发系统设计
2016年
根据项目需要,采用MCM、SIP多种芯片封装集成技术,设计了一款小尺寸、全功能的单通道S波段雷达收发一体电路,在小封装内集成了射频收发、中频数字收发、光纤通信等功能电路,实现了收发全部功能。本文重点对其具体设计实现作了介绍。经验证,该模块功能稳定,指标可靠,能满足项目实际需求。
陈利杰王波唐亮马强
关键词：MCM系统封装
多芯片混合集成的三维封装结构及加工方法
本发明多芯片混合集成的三维封装结构及加工方法涉及一种用于不同形式芯片与无源器件之间混合集成的三维封装结构及加工方法。本发明多芯片混合集成的三维封装结构以一个BGA电路基板作为载体，将一颗QFN封装芯片、一颗裸芯片和若干无...
王波兰欣杨静马强陈利杰潘茂云赵潇胡国俊
文献传递
一种射频芯片及其无源器件的封装结构和封装方法
本发明提供一种射频芯片及其无源器件的封装结构，包括塑封体(4)以及RDL再布线层(5)，所述RDL再布线层(5)设置在塑封体(4)的表面，射频芯片(1)及无源器件(2)塑封在塑封体(4)内。本发明还提供一种上述封装结构的...
王波马强杨静段宗明唐亮
文献传递
一种用于环形器匀磁片与壳体垂直互连的新型封装结构
本实用新型属于微波器件领域，具体涉及一种用于环形器中匀磁片与壳体垂直互连的新型封装结构。其包括环形器的壳体，在该壳体的内腔中从上至下，依次堆叠封盖、匀磁片、铁氧体、中心导体、铁氧体，该匀磁片与该壳体内腔形成垂直精密连接。...
王波潘勇才张加波胡国俊
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一种解决扇出型晶圆级封装翘曲的装置
为了解决塑封体翘曲的难题，本实用新型提出一种解决扇出型晶圆级封装翘曲的装置，包括加热单元、固定单元、校正单元。在加热单元上设有固定单元。在固定单元的上方设有校正单元。有益的技术效果：经过本实用新型对扇出型晶圆级封装的翘曲...
王波杨静马强唐亮
文献传递
一种微同轴超宽带耦合器
本发明公开了一种微同轴超宽带耦合器，包括H型金属腔结构的外导体、H型的内导体和光刻胶支撑体；所述内导体生长在外导体内，所述光刻胶支撑体设置于内导体的底部和外导体底部之间，所述第一支节和第三支节位于同一条直线上，所述第二支...
马强周杨王波李佩
文献传递
一种面向PoP三维封装的垂直互连结构及制作方法
本发明涉及一种面向PoP三维封装的垂直互连结构，包括顶层模块、底部模块、第一BGA焊球，所述顶层模块与底部模块通过第一BGA焊球焊接；其中，所述底部模块包括第二基板、第二塑封材料、第二芯片、第二引线及金属柱，所述第二基板...
杨静王波刘勇彭超刘明闵志先
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一种射频芯片及其无源器件的封装结构
本实用新型提供一种射频芯片及其无源器件的封装结构，包括塑封体(4)以及RDL再布线层(5)，所述RDL再布线层(5)设置在塑封体(4)的表面，射频芯片(1)及无源器件(2)塑封在塑封体(4)内。本实用新型还提供一种上述封...
王波马强杨静段宗明唐亮
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一种T/R组件控制模块的系统级封装结构及其封装方法
本发明涉及一种T/R组件控制模块的系统级封装结构及其封装方法，具体为通过多种封装手段，将一组用于相控阵T/R组件电压和波形控制的裸芯片，以及若干无源器件进行三维高密度集成的系统级封装结构和封装方法。在封装基板上表面，通过...
马强王波唐亮陈兴国
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一种微同轴超宽带耦合器
本发明公开了一种微同轴超宽带耦合器，包括H型金属腔结构的外导体、H型的内导体和光刻胶支撑体；所述内导体生长在外导体内，所述光刻胶支撑体设置于内导体的底部和外导体底部之间，所述第一支节和第三支节位于同一条直线上，所述第二支...
马强周杨王波李佩
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