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文娇

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 16篇硅
  • 14篇衬底
  • 12篇绝缘体上硅
  • 7篇绝缘
  • 6篇射频
  • 6篇沟道
  • 5篇绝缘层
  • 4篇岛上
  • 4篇生物传感
  • 4篇生物传感器
  • 4篇图形化
  • 4篇绝缘体
  • 4篇空区
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇应变硅
  • 3篇埋氧层
  • 3篇接触电极
  • 3篇背栅

机构

  • 21篇中国科学院

作者

  • 21篇王曦
  • 21篇俞文杰
  • 21篇刘畅
  • 21篇文娇
  • 17篇刘强
  • 8篇费璐
  • 5篇赵清太

年份

  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 11篇2016
  • 4篇2015
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法
本发明提供一种图形化绝缘体上硅衬底材料及其制备方法，所述图形化绝缘体上硅衬底材料包括：底层硅；绝缘层，结合于所述底层硅表面，且于对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间保留有部分的绝缘层；顶层硅，结合于...
俞文杰刘强刘畅文娇王翼泽王曦
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基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件及其制作方法
本发明提供一种基于sSi/SiGe/sSOI衬底的CMOS器件及其制作方法，所述CMOS器件包括：PMOS器件，包括硅衬底、埋氧层、应变硅层、SiGe层以及应变硅盖帽层，形成于所述SiGe层中的SiGe沟道、形成于所述S...
文娇刘强刘畅俞文杰赵清太王曦
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基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法
本发明提供一种基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一sSOI衬底，所述sSOI衬底的顶层应变硅的厚度为10nm~50nm；2）制作器件区域；3）形成N+源区及N+漏区及应变沟道区...
文娇俞文杰刘畅赵清太王曦
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基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法
本发明提供一种基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法，所述制备方法包括：1）制备绝缘体上硅衬底，包括依次层叠的底层硅、绝缘层及顶层硅，所述绝缘层的下部于对应于制备射频共面波导元件的位置具有至少直至所述底层硅的凹...
俞文杰费璐刘强刘畅文娇王翼泽王曦
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用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法
本发明提供一种用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法，所述绝缘体上硅衬底，包括：底层硅；绝缘层，结合于所述底层硅表面，所述绝缘层的下部于对应于制备射频器件的位置具有直至所述底层硅的凹槽，且所述凹槽内的底层...
俞文杰费璐刘强刘畅文娇王翼泽王曦
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基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法
本发明提供一种基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一sSOI衬底，所述sSOI衬底的顶层应变硅的厚度为10nm~50nm；2）制作器件区域；3）形成N+源区及N+漏区及应变沟道区...
文娇俞文杰刘畅赵清太王曦
一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法
本发明提供一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，该CMOS器件结构包括：绝缘体岛上硅衬底，所述绝缘体岛上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管栅极的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅...
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一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法
本发明提供一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，包括：图形化绝缘体上硅衬底，所述图形化绝缘体上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间...
俞文杰刘强刘畅文娇王翼泽王曦
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基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法
本发明提供一种基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法，所述制备方法包括：1）制备绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括依次层叠的底层硅、绝缘层及顶层硅，所述绝缘层的下部于对应于制备射频电感元件的位置具有至少直至所述...
俞文杰费璐刘强刘畅文娇王翼泽王曦
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基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法
本发明提供一种基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一SOI衬底，所述SOI衬底绝缘层的厚度为20nm~40nm；2）制作器件区域；3）形成源区及漏区及沟道区；4）于所...
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共3页<123>
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