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陈阳

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇电感电路
  • 4篇电路
  • 4篇可调节
  • 4篇集成度
  • 3篇延时
  • 2篇电感
  • 2篇电容
  • 2篇性能要求
  • 2篇延时线
  • 2篇有源
  • 2篇有源电感
  • 2篇栅极
  • 2篇栅极电压
  • 2篇左手
  • 2篇芯片
  • 2篇芯片集
  • 2篇芯片集成
  • 2篇芯片集成度
  • 2篇可变电容
  • 2篇可调

机构

  • 9篇杭州电子科技...

作者

  • 9篇陈阳
  • 7篇吴俊
  • 7篇曾嵘
  • 7篇王浩
  • 2篇徐铭恩
  • 2篇王玲

年份

  • 1篇2022
  • 6篇2021
  • 2篇2015
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种矫形器的三维打印制备方法
本发明公开一种矫形器的三维打印制备方法，该方法是基于三维扫描、虚拟修复和三维打印技术。传统矫形器的生产周期长、矫形效果一般，人力成本昂贵，对患者有着较大的不便。本发明方法是首先通过三维扫描设备扫描待矫正部位，记录待矫正部...
徐铭恩王玲陈阳
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一种正负群延时抵消的群延时平坦化处理系统
本发明公开了一种正负群延时抵消的群延时平坦化处理系统，包括依次连接的正群延时网络和负群延时网络，所述正群延时网络的输入端为信号的输入端，信号在正群延时网络进行正群延时信号处理，正群延时网络的输出端与负群延时网络的输入端连...
陈阳吴俊曾嵘仇兆炀方欣閤兰花王浩唐继斐
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一种可调节差分有源电感电路
本发明公开了一种可调节差分有源电感电路，包括可变电容、可调PMOS晶体管负载、第一交叉耦合NMOS晶体管对、第二交叉耦合NMOS晶体管对，第二交叉耦合NMOS晶体管对连接两个可变电容Cb，第二交叉耦合NMOS晶体管对通过...
陈阳曾嵘 閤兰花 唐继斐吴俊王浩 仇兆炀
一种高集成度可调节左手延迟电路
本发明一种高集成度可调节左手延迟电路，包括两个可调电容电路和一个可调有源电感电路，所述可调有源电感电路的一端连接于两个串联的可调电容电路的中间节点，所述可调有源电感电路的另一端接地；两个可调电容电路的两端分别为左手延迟电...
陈阳仇兆炀曾嵘閤兰花吴俊方欣王浩唐继斐
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一种光固化三维打印矫形器复合加工方法
本发明公开一种光固化三维打印矫形器复合加工方法。该方法是在矫形器的数字模型设计阶段，将矫形器壁厚设置为0.7～1.0mm，通过三维打印工艺打印成型；矫形器SLA壳体的内侧涂覆脱模剂作为脱模层，灌入半水纤维石膏固化后作为内...
徐铭恩王玲陈阳
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一种高集成度可调节左手延迟电路
本发明一种高集成度可调节左手延迟电路，包括两个可调电容电路和一个可调有源电感电路，所述可调有源电感电路的一端连接于两个串联的可调电容电路的中间节点，所述可调有源电感电路的另一端接地；两个可调电容电路的两端分别为左手延迟电...
陈阳仇兆炀曾嵘閤兰花吴俊方欣王浩唐继斐
一种可调节差分有源电感电路
本发明公开了一种可调节差分有源电感电路，包括可变电容、可调PMOS晶体管负载、第一交叉耦合NMOS晶体管对、第二交叉耦合NMOS晶体管对，第二交叉耦合NMOS晶体管对连接两个可变电容Cb，第二交叉耦合NMOS晶体管对通过...
陈阳曾嵘 閤兰花 唐继斐吴俊王浩 仇兆炀
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一种高延时精度宽延时调节范围的延时线电路
本发明公开了一种高延时精度宽延时调节范围的延时线电路，包括依次连接的粗调节延时单元、中调节延时单元和细调节延时单元；延时线电路的输入信号通过粗调节延时单元控制延迟时间，信号后进入中调节延时单元并通过调节中调节延时单元控制...
陈阳仇兆炀曾嵘閤兰花吴俊方欣王浩唐继斐
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一种高延时精度宽延时调节范围的延时线电路
本发明公开了一种高延时精度宽延时调节范围的延时线电路，包括依次连接的粗调节延时单元、中调节延时单元和细调节延时单元；延时线电路的输入信号通过粗调节延时单元控制延迟时间，信号后进入中调节延时单元并通过调节中调节延时单元控制...
陈阳仇兆炀曾嵘閤兰花吴俊方欣王浩唐继斐
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