辛晓龙
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：江苏大学能源与动力工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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- GaN在MOCVD生长的表面反应模拟研究
- 在GaN的MOCVD外延生长中,其表面生长机理仍不清楚,何种粒子到达表面,粒子在表面吸附的位置以及表面如何扩散和结合仍有待回答.另外GaN表面因其晶向不同而展现出不同的生长过程.本文针对GaN生长的表面过程,本文利用简化...
- 辛晓龙左然
- 关键词：GANMOCVD
- MOVPE生长GaN的表面反应机理被引量：3
- 2015年
- 利用量子化学的DFT理论,对MOVPE生长GaN薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,因此容易在表面迁移;而NH3在各吸附位的吸附能差值较大,最稳定吸附位为Top位,迁移到其他位置需要克服较大能垒。在此基础上,提出了以NH3和GaCH3为表面生长基元,在GaN(0001)-Ga面连续生长,最终形成环状核心的二维生长机理:在环状核心形成过程中,第1个GaN核生长需要3个NH3和1个GaCH3,可表示为Ga(NH2)3。第2个GaN核生长可利用已有的1个N作为配位原子,故只需2个NH3和1个GaCH3。2个GaN核可表示为(NH2)2Ga-NH-Ga(NH2)2。第3个GaN核生长可利用已有的2个N作为配位原子,故只需要1个NH3和1个GaCH3。3个GaN核构成环状核心,可表示为Ga3(NH)3(NH2)3。后续的生长将重复第2个核和第3个核的生长过程,从而实现GaN薄膜的连续台阶生长。
- 辛晓龙左然童玉珍张国义
- 关键词：GAN薄膜MOVPEDFT
- GaN表面在MOCVD过程的吸附和扩散
- 在MOCVD生长中,GaN表面因其晶向不同展现出不同的生长过程.本文利用Material Studio Adsorption Lo cater模块,研究了NH3、NH2、NH和 GaCH3在GaN(0001)-Ga和Ga...
- 辛晓龙左然
