李莎
- 作品数：19 被引量：46H指数：5
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- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信医药卫生哲学宗教轻工技术与工程更多>>
- 一种医学静脉寻找眼镜
- 一种医学静脉寻找眼镜,包括镀有滤光膜镜片、眼镜腿、眼镜框、光源控制开关、两种若干发光波段不同的光源，所述光源控制开关可打开或关断所有光源，且所述光源控制开关可以调节所有光源的所发出光的亮度，所述第一种光源和第二种光源均发...
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- 一种半导体器件散热模块的焊料分布
- 一种半导体器件散热模块的焊料分布结构，该结构包括热沉、第一焊料层、第二焊料层、芯片；第一焊料层设置在热沉上方，第二焊料层设置在热沉的侧面并与第一焊料层连接，芯片设置在第一焊料层上方，为上下电极结构。通过在热沉一侧面也生长...
- 崔碧峰李莎黄欣竹孔真真
- 文献传递
- GaAs基大功率激光器静电失效现象的研究被引量：3
- 2017年
- 为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据。首先,对GaAs基980 nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加了-200 V,-600 V,-800 V,-1200 V以及+5000 V的静电打击(ESD),每次打击后,测量样品电学参数和光学参数。其次,对打击后的器件进行腐蚀并显微观察其打击后损伤现象。反相ESD后,半导体激光器I-V曲线有明显的软击穿现象,在反向4 V电压下反向1200 V静电打击后漏电为打击的5883854.92倍。正向5000 V静电打击后器件没有明显的软击穿现象,且功率下降很小。在反向ESD后器件腐蚀金电极后表面有明显熔毁现象,正向静电打击后则没有此现象。通过正向静电打击和反向静电打击下器件反应的不同I-V特性和损伤表征,推测正向瞬时大电压大电流下,器件的I-V特性无明显变化,而反向大电压大电流打击会导致I-V曲线出现明显软击穿,功率下降和表面熔毁现象,为判别静电损毁提出了有效判据。
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- 关键词：大功率半导体激光器静电I-V特性光输出功率
- 抑郁症缓解期情绪面孔注意加工偏向的眼动研究被引量：7
- 2015年
- 研究认为,抑郁症患者即使在病情缓解后也存在认知功能障碍^（[1-2]）。而注意功能是一切认知活动的基础,因此抑郁症患者的注意功能成为研究者关注的热点^（[3-5]）。缓解期是抑郁症恢复过程中的一个重要时期。
- 李文敬栗觅吕胜富李莎丰雷付冰冰王刚钟宁
- 关键词：抑郁症眼动
- 大功率低阈值半导体激光器研究被引量：17
- 2016年
- 针对大光腔结构往往导致阈值电流密度增大的矛盾,设计了一种具有较高势垒高度的三量子阱有源区。采用非对称宽波导结构的半导体激光器,该激光器在实现大光腔结构的同时保持阈值电流密度不增加。通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长InGaAs/AlGaAs三量子阱有源区以及3.6μm超大光腔半导体激光器的外延结构。结合后期工艺,制备了980nm脊形边发射半导体激光器。在未镀膜情况下,4mm腔长半导体激光器阈值电流为1105.5mA,垂直发散角为15.6°,注入电流为25A时的最大输出功率可达到15.9 W。测试结果表明:所设计的半导体激光器在有效地拓展光场,实现大光腔结构的同时,保证了激光器具有较低的阈值电流。
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- 关键词：激光器半导体激光器大光腔阈值电流密度
- 熔融盐法制备Pt/TiO2催化剂及其消除VOCs性能
- 挥发性有机物(VOCs)污染大气环境，危害人体健康。有效控制和减少VOCs排放具有重大意义。催化氧化技术具有净化效率高、能耗低且无二次污染的特点，其核心在于研发高性能的催化剂。熔融盐法是一种操作简单和条件温和的制备功能材...
- 李莎
- 关键词：催化剂铂二氧化钛挥发性有机物催化活性
- 大功率半导体激光器腔面氮钝化的研究被引量：6
- 2016年
- 针对980 nm大功率半导体激光器腔面离子铣氮钝化处理工艺进行了研究,发现腔面离子铣氮钝化可以提高激光器的输出特性及COD功率,器件输出功率提高了32.14%;老化实验后,经过氮钝化的半导体激光器没有明显退化,而未经氮钝化处理的激光器退化严重;使用俄歇谱测试仪(AES)对钝化处理后的半导体激光器试验片进行测试,发现有部分的氮离子遗留在腔面处;氮元素含量由原有的0%上升到20%,与此同时,氧元素的含量由原来的61%降至30%。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。
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- 关键词：激光器大功率半导体激光器
- 一种半导体芯片自对准摆片
- 本发明公开了一种半导体芯片自对准摆片，属于光电子技术领域，可应用于半导体发光器件芯片的摆放与对准。对准条沿硅片底座的表面纵向设置，在硅片底座上设置一系列相同的刻蚀槽，刻蚀槽沿硅片底座的表面横向设置；热沉摆放到硅片底座上，...
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- 文献传递
- 一种半导体器件散热模块的焊料分布
- 一种半导体器件散热模块的焊料分布结构，该结构包括热沉、第一焊料层、第二焊料层、芯片；第一焊料层设置在热沉上方，第二焊料层设置在热沉的侧面并与第一焊料层连接，芯片设置在第一焊料层上方，为上下电极结构。通过在热沉一侧面也生长...
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- p型GaAs欧姆接触性能研究被引量：5
- 2016年
- 为了研究半导体光电器件p-GaAs欧姆接触的特性,利用磁控溅射在p-GaAs上生长Ti厚度在10-50 nm范围、Pt厚度在30-60 nm范围的Ti/Pt/200 nm Au电极结构。利用传输线模型测量了具有不同的Ti、Pt厚度的Ti/Pt/200 nm Au电极结构接触电阻率,研究了退火参数对欧姆接触性能的影响,同时分析了过高温度导致电极金属从边缘向内部皱缩的机理。结果表明,Ti厚度为30 nm左右时接触电阻率最低,接触电阻率随着Pt厚度的增加而增加;欧姆接触质量对退火温度更敏感,退火温度达到510℃时电极金属从边缘向内部皱缩。采用40nm Ti/40 nm Pt/200 nm Au作为半导体光电器件p-GaAs电极结构,合金条件为420℃,30 s可以形成更好的欧姆接触。
- 刘梦涵崔碧峰何新孔真真黄欣竹李莎
- 关键词：半导体器件欧姆接触接触电阻率合金
