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2024年7月22日星期一

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高工作温度中波红外碲镉汞焦平面研究: 2023年; 该文报道了昆明物理研究所高工作温度中波红外碲镉汞焦平面探测器器件的研究情况。通过优化焦平面器件结构参数,采用As离子注入形成p-on-n平面结器件技术,在液相外延生长的高质量原位In掺杂的碲镉汞薄膜上制备了阵列规格为640×512@15μm的中波红外焦平面探测器。利用变温杜瓦测试了焦平面芯片在不同工作温度下的光谱响应、器件暗电流、噪声等效温差、有效像元率以及盲元分布等,测试结果表明器件具备180K以上工作温度的能力。; 覃钢秦强何天应宋林伟左大凡杨超伟李红福李轶民孔金丞赵鹏赵俊; 关键词：中波红外碲镉汞噪声等效温差

CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究: 2018年; 采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响。结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后,沉积速率显著增加,由3.5 nm/min增加到了9.5 nm/min;HgCdTe/钝化层界面固定电荷面密度增大,由2.43×10^(11) cm^(—2)增大到了2.83×10^(11) cm^(—2);慢界面态密度也随溅射功率的增加而增大。; 林占文韩福忠李雄军耿松史琪胡彦博杨超伟林阳; 关键词：溅射功率 I-V C-V

一种铟凸点器件结构及其制备方法: 本发明涉及一种铟凸点器件结构及其制备方法，属于铟凸点器件制备技术领域。该器件结构包含半导体衬底、焊盘、第一钝化层、第二钝化层、UBM金属层和铟凸点；UBM金属层包括粘附层、阻挡层、缓冲层和浸润层；在该器件结构中，粘附层覆...; 杨超伟李京辉韩福忠王琼芳封远庆左大凡杨毕春周连军吴圣娟; 文献传递

中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性被引量：6: 2019年; 采用不同工艺制备了中波碲镉汞(Hg Cd Te)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1. 2μm和2. 5μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1 000以上.用肖克莱解析式拟合Hg Cd Te APD器件增益-偏压曲线,获得了较好的效果.拟合结果与Sofradir公司的J. Rothman的报道相似.; 李雄军韩福忠李立华李东升胡彦博杨登泉杨超伟孔金丞舒恂庄继胜赵俊; 关键词：雪崩光电二极管增益 C-V

一种红外偏振焦平面器件结构及其制备方法: 本发明涉及一种红外偏振焦平面器件结构及其制备方法，该器件结构包括去除半导体衬底的红外焦平面器件和亚波长金属线栅；红外焦平面器件中，金属微柱分布在读出电路衬底正面的外围，形成了由具有一定中心距的金属微柱组成的矩形圈或方形圈...; 李东升杨超伟韩福忠郭建华王向前姚志健封远庆左大凡王琼芳李京辉

小像元碲镉汞红外焦平面探测器的研究进展被引量：6: 2019年; 随着红外技术的发展,探测器的尺寸、重量和功耗(SWaP)的减小已成为研究热点。像元尺寸的减小,一方面可以提高器件的分辨率,另一方面可以减小整个探测器系统的体积、重量和功耗,进而大大节约成本。因此,像元尺寸的减小成了研究的重点。本文介绍了小像元红外焦平面器件的技术难点,分别从系统的调制传递函数(Modulation Transfer Function,MTF)、噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference,NETD)、像元结构和像元集成互连方面进行了讨论。此外,介绍了国外像元中心距为12μm、10μm、8μm和5μm的HgCdTe红外焦平面探测器的研究进展。; 杨超伟李东升李立华李京辉封远庆杨毕春唐遥张志文李雄军李妍君; 关键词：碲镉汞红外探测器

大面阵短波碲镉汞红外焦平面器件研究被引量：3: 2022年; 随着红外焦平面技术的发展,大面阵红外焦平面器件在遥感、气象、资源普查和高分辨对地观测卫星上得到了广泛应用。因此,基于第三代红外焦平面技术的超大规模焦平面器件成为国内外研究热点。文中介绍了昆明物理研究所采用n-on-p技术路线成功研制的短波(Short Wave, SW) 2 k×2 k(18μm,像元中心距)碲镉汞红外焦平面器件。短波2 k×2 k碲镉汞红外焦平面器件突破了大尺寸碲锌镉(CdZnTe)衬底制备和大面积液相外延薄膜材料生长技术,衬底尺寸由Φ75 mm增加到Φ90 mm,获得了高度均匀的大面积碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料。通过大面阵器件工艺、大面阵倒装互连等技术攻关,最终获得了有效像元率大于99.9%、平均峰值探测率(D^(*))大于4×10^(12)(cm·Hz^(1/2))/W、暗电流密度在1 nA/cm^(2)的高性能短波2 k×2 k(18μm)碲镉汞红外焦平面器件。; 龚晓丹李红福杨超伟袁绶章封远庆黄元晋胡旭李立华; 关键词：短波红外焦平面器件

中波碲镉汞红外偏振焦平面探测器的制备研究(特邀)被引量：1: 2021年; 针对隐身等多类高价值目标精确探测与识别以及探测技术持续发展需求,为实现复杂战场环境下的高概率真假目标识别和高精度目标检测、定位、跟踪,开展复杂战场环境下隐身及微弱特征目标探测及抗干扰探测等技术研究意义重大,其中高集成度的焦平面型偏振红外探测器技术是其中一个重要方向。围绕集成式中波(MW)256×256碲镉汞红外偏振焦平面探测器的研制,介绍了偏振结构的设计、制备到偏振探测器的集成,以及偏振探测器性能的测试等方面的研究进展状况,设计加工出了亚波长金属光栅阵列,采用倒装互连的方式实现了偏振探测器的集成,并在MW 256×256碲镉汞焦平面器件上实现了红外偏振性能的测试和评估。; 杨超伟封远庆李东升李宁赵永强舒畅辛永刚李永亮左大凡唐遥; 关键词：碲镉汞红外焦平面探测器偏振

Au掺杂碲镉汞长波探测器技术研究: 2023年; 昆明物理研究所多年来持续开展了对Au掺杂碲镉汞材料、器件结构设计、可重复的工艺开发等研究,突破了Au掺杂碲镉汞材料电学可控掺杂、器件暗电流控制等关键技术,将n-on-p型碲镉汞长波器件品质因子(R_(0)A)从31.3Ω·cm^(2)提升到了363Ω·cm^(2)(λ_(cutoff)=10.5μm@80 K),器件暗电流较本征汞空位n-on-p型器件降低了一个数量级以上。研制的非本征Au掺杂长波探测器经历了超过7年的时间贮存,性能无明显变化,显示了良好的长期稳定性。基于Au掺杂碲镉汞探测器技术,昆明物理研究所实现了256×256(30μm pitch)、640×512(25μm pitch)、640×512(15μm pitch)、1024×768(10μm pitch)等规格的长波探测器研制和批量能力,实现了非本征Au掺杂长波碲镉汞器件系列化发展。; 宋林伟孔金丞赵鹏姜军李雄军方东杨超伟舒畅; 关键词：暗电流长波红外焦平面

高工作温度p-on-n中波碲镉汞红外焦平面器件研究: 2022年; As注入掺杂的p-on-n结构碲镉汞红外探测器件具有少子寿命长、暗电流低、R0A值高等优点,是高温器件研究的重要技术路线之一。针对阵列规模640×512、像元中心距15μm的As掺杂工艺制备的p-on-n中波碲镉汞焦平面器件,测试了不同工作温度下的性能和暗电流。研究结果表明,在80K工作温度下,器件响应表现出高响应均匀性,有效像元率达99.98%;随着工作温度升高,器件盲元增多,当工作温度为150K和180K时,有效像元率降低至99.92%和99.32%。由于对器件扩散电流更好的抑制,器件在160~200K温度范围内的暗电流低于Rule-07。并且当工作温度在150~180K时(300K的背景下),器件具有较好的信噪比,极大程度地体现了高温工作的可行性。; 杨超伟赵鹏黄伟秦强何天应李红福浦同俊刘艳珍熊伯俊李立华; 关键词：碲镉汞

杨超伟

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