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杨超伟: 作品数：24 被引量：20H指数：3; 供职机构：昆明物理研究所更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

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高工作温度中波红外碲镉汞焦平面研究: 2023年; 该文报道了昆明物理研究所高工作温度中波红外碲镉汞焦平面探测器器件的研究情况。通过优化焦平面器件结构参数,采用As离子注入形成p-on-n平面结器件技术,在液相外延生长的高质量原位In掺杂的碲镉汞薄膜上制备了阵列规格为640×512@15μm的中波红外焦平面探测器。利用变温杜瓦测试了焦平面芯片在不同工作温度下的光谱响应、器件暗电流、噪声等效温差、有效像元率以及盲元分布等,测试结果表明器件具备180K以上工作温度的能力。; 覃钢秦强何天应宋林伟左大凡杨超伟李红福李轶民孔金丞赵鹏赵俊; 关键词：中波红外碲镉汞噪声等效温差

CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究: 2018年; 采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响。结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后,沉积速率显著增加,由3.5 nm/min增加到了9.5 nm/min;HgCdTe/钝化层界面固定电荷面密度增大,由2.43×10^(11) cm^(—2)增大到了2.83×10^(11) cm^(—2);慢界面态密度也随溅射功率的增加而增大。; 林占文韩福忠李雄军耿松史琪胡彦博杨超伟林阳; 关键词：溅射功率 I-V C-V

一种铟凸点器件结构及其制备方法: 本发明涉及一种铟凸点器件结构及其制备方法，属于铟凸点器件制备技术领域。该器件结构包含半导体衬底、焊盘、第一钝化层、第二钝化层、UBM金属层和铟凸点；UBM金属层包括粘附层、阻挡层、缓冲层和浸润层；在该器件结构中，粘附层覆...; 杨超伟李京辉韩福忠王琼芳封远庆左大凡杨毕春周连军吴圣娟; 文献传递

中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性被引量：7: 2019年; 采用不同工艺制备了中波碲镉汞(Hg Cd Te)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1. 2μm和2. 5μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1 000以上.用肖克莱解析式拟合Hg Cd Te APD器件增益-偏压曲线,获得了较好的效果.拟合结果与Sofradir公司的J. Rothman的报道相似.; 李雄军韩福忠李立华李东升胡彦博杨登泉杨超伟孔金丞舒恂庄继胜赵俊; 关键词：雪崩光电二极管增益 C-V

一种确定长波碲镉汞器件倒装互连压强阈值的方法: 本发明公开一种确定长波碲镉汞器件倒装互连压强阈值的方法，包括：把材料切割成大小相同的实验片，在不同压力下与读出电路进行倒装互连，焊接完成后利用超声分开，然后利用Chen腐蚀液对材料进行腐蚀，观察位错腐蚀坑，测量每个实验片...; 杨顺虎王琼芳万蓓张萤郭瑞张学斌王思凡杨小艺李智权唐遥杨超伟

一种红外偏振焦平面器件结构及其制备方法: 本发明涉及一种红外偏振焦平面器件结构及其制备方法，该器件结构包括去除半导体衬底的红外焦平面器件和亚波长金属线栅；红外焦平面器件中，金属微柱分布在读出电路衬底正面的外围，形成了由具有一定中心距的金属微柱组成的矩形圈或方形圈...; 李东升杨超伟韩福忠郭建华王向前姚志健封远庆左大凡王琼芳李京辉

小像元碲镉汞红外焦平面探测器的研究进展被引量：6: 2019年; 随着红外技术的发展,探测器的尺寸、重量和功耗(SWaP)的减小已成为研究热点。像元尺寸的减小,一方面可以提高器件的分辨率,另一方面可以减小整个探测器系统的体积、重量和功耗,进而大大节约成本。因此,像元尺寸的减小成了研究的重点。本文介绍了小像元红外焦平面器件的技术难点,分别从系统的调制传递函数(Modulation Transfer Function,MTF)、噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference,NETD)、像元结构和像元集成互连方面进行了讨论。此外,介绍了国外像元中心距为12μm、10μm、8μm和5μm的HgCdTe红外焦平面探测器的研究进展。; 杨超伟李东升李立华李京辉封远庆杨毕春唐遥张志文李雄军李妍君; 关键词：碲镉汞红外探测器

近化学计量比的HgCdTe薄膜表面处理方法: 2024年; 本文采用X射线光电子能谱检测技术分别对溴-甲醇(Br_(2):Me)、溴-氢溴酸(Br_(2):HBr)和溴-氢溴酸-乙二醇(Br_(2):HBr:Eg)3种体系的腐蚀液处理后的HgCdTe表面状态进行了研究,结果表明这3种溴基腐蚀液均会造成HgCdTe表面富碲(Te^(0)),且富碲程度为(Br_(2):HBr:Eg)<(Br_(2):HBr)<(Br_(2):Me)。为了获得接近化学计量比的表面,一般采取先氧化富碲为TeO_(2)后腐蚀的方式去除表面富碲,然而,湿法腐蚀去除表面富碲的方法存在各种缺点。等离子体氧化具有氧化性强,工艺稳定,安全环保等优点,因此本文通过氧等离子体氧化Br_(2):HBr:Eg处理后的HgCdTe表面,进一步研究了盐酸、乳酸和氢氧化铵溶液腐蚀去除HgCdTe表面氧化物的情况,结果表明低浓度的盐酸能够较彻底地去除HgCdTe表面氧化物且不引入碳等其他污染物。在此接近化学计量比的表面制备的CdTe钝化膜与HgCdTe界面孔洞大小及数量显著减小,说明CdTe/HgCdTe界面的缺陷密度更低。; 王嘉龙刘艳珍杨晓坤黄福云杨超伟李雄军; 关键词：碲镉汞表面处理近化学计量比

大面阵短波碲镉汞红外焦平面器件研究被引量：3: 2022年; 随着红外焦平面技术的发展,大面阵红外焦平面器件在遥感、气象、资源普查和高分辨对地观测卫星上得到了广泛应用。因此,基于第三代红外焦平面技术的超大规模焦平面器件成为国内外研究热点。文中介绍了昆明物理研究所采用n-on-p技术路线成功研制的短波(Short Wave, SW) 2 k×2 k(18μm,像元中心距)碲镉汞红外焦平面器件。短波2 k×2 k碲镉汞红外焦平面器件突破了大尺寸碲锌镉(CdZnTe)衬底制备和大面积液相外延薄膜材料生长技术,衬底尺寸由Φ75 mm增加到Φ90 mm,获得了高度均匀的大面积碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料。通过大面阵器件工艺、大面阵倒装互连等技术攻关,最终获得了有效像元率大于99.9%、平均峰值探测率(D^(*))大于4×10^(12)(cm·Hz^(1/2))/W、暗电流密度在1 nA/cm^(2)的高性能短波2 k×2 k(18μm)碲镉汞红外焦平面器件。; 龚晓丹李红福杨超伟袁绶章封远庆黄元晋胡旭李立华; 关键词：短波红外焦平面器件

一种高量子效率的碲镉汞n-on-p结及其制备方法: 本发明涉及一种高量子效率的碲镉汞n‑on‑p结及其制备方法，涉及红外探测器技术领域，包括带衬底的p型碲镉汞材料，p型碲镉汞材料表面沉积生长碲化镉钝化层，碲化镉钝化层表面沉积生长碲化镉薄膜和硫化锌薄膜，B离子通过光刻图形，...; 司洋杨超伟王文熊伯俊李永亮李雄军王向前孔金丞