铁剑锐 作品数:18 被引量:18 H指数:2 供职机构: 中国电子科技集团公司第十八研究所 更多>> 相关领域: 电气工程 动力工程及工程热物理 更多>>
空间太阳电池阵用ITO玻璃盖片工艺探索 2018年 ITO薄膜即铟锡氧化物(Indium Tin Oxides)半导体透明导电膜,有良好的导电性,高的透过率,并且具有很高的可靠性,可应用于航天领域电磁监测卫星的太阳电池板上以控制其表面电位。针对航天器太阳电池阵用ITO薄膜的真空蒸镀法制备进行工艺优化,通过选用合适的蒸镀速率和退火条件得到具有较低电阻率、较高透过率并且与空间用三结砷化镓太阳电池相匹配的ITO盖片产品。 黄稼 王鑫 杜永超 铁剑锐 铁剑锐关键词:透过率 导电性 太阳电池的制备方法 本发明提供一种太阳电池的制备方法,包括如下步骤:S1:光刻上电极,在所述外延片的入光面涂光刻胶,涂完胶后将电池烘烤,后进行曝光、显影、冲洗和干燥;S2:蒸镀上电极,将外延片光刻面朝向蒸发源装入镀膜机中,进行真空蒸镀,然后... 铁剑锐 杜永超 许军 肖志斌 王鑫 梁存宝 孙希鹏文献传递 边缘湿法刻蚀GaInP/GaAs/Ge太阳电池研究 被引量:1 2020年 介绍了一种边缘湿法刻蚀工艺制备GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池的技术,因刻蚀形成的划切槽界面光滑程度远高于砂轮划切界面,有效降低了复合中心的密度,从而提升了太阳电池的光电转换性能。通过一种含溴的水溶液一次性刻蚀替代了传统的不同溶液交替刻蚀相应Ⅲ-Ⅴ族材料,显微镜下,含溴水溶液工艺获得的划切槽明显优于交替溶液刻蚀形成的划切槽;通过一次性湿法刻蚀、两次套刻和真空蒸镀工艺制作的具有划切槽太阳电池AMO下光电转换效率达到29.13%,高于无划切槽工艺制作的GalnP/GaAs/Ge电池效率。 许军 铁剑锐 赵拓 韩志刚关键词:湿法刻蚀 套刻 太阳电池的制备方法 本发明提供一种太阳电池的制备方法,包括如下步骤:S1:光刻上电极,在所述外延片的入光面涂光刻胶,涂完胶后将电池烘烤,后采用光刻机对外延片涂胶面进行曝光、显影、冲洗和干燥;S2:蒸镀上电极,将所述外延片光刻面朝向蒸发源装入... 铁剑锐 杜永超 许军 肖志斌 王鑫 梁存宝 孙希鹏文献传递 太阳电池的制备方法 本发明提供一种太阳电池的制备方法,包括如下步骤:S1:光刻上电极,在所述外延片的入光面涂光刻胶,涂完胶后将电池烘烤,后采用光刻机对外延片涂胶面进行曝光、显影、冲洗和干燥;S2:蒸镀上电极,将所述外延片光刻面朝向蒸发源装入... 铁剑锐 杜永超 许军 肖志斌 王鑫 梁存宝 孙希鹏文献传递 高效超薄空间用三结砷化镓太阳电池研制 被引量:3 2018年 高效性、轻型化是未来单体太阳电池的发展方向。采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法制备高效Ga In P/Ga As/Ge正向晶格匹配三结砷化镓外延片,先采用机械磨削方式减薄到一定厚度,再通过氢氟酸、双氧水和水的混合液将衬底减薄至120、100、80μm,最薄至50μm。设计新型背电极,解决超薄片翘曲问题。通过以上手段制备成不同厚度和不同面积的砷化镓太阳电池,利用厚度50μm的外延片,制备出最大面积为12.25 cm2的太阳电池,其光电转换效率为29.52%(AM0,25℃)。利用厚度80μm的外延片,制备出最大面积为30.18 cm2的太阳电池,其光电转换效率为29.7%(AM0,25℃)。经过温度冲击、焊点拉力和稳态湿热等可靠性试验考核,均满足要求。 铁剑锐 铁剑锐 孙希鹏关键词:超薄 化学腐蚀 太阳电池的制备方法 本发明提供一种太阳电池的制备方法,包括如下步骤:S1:光刻上电极,在所述外延片的入光面涂光刻胶,涂完胶后将电池烘烤,后采用光刻机对外延片涂胶面进行曝光、显影、冲洗和干燥;S2:蒸镀上电极,将所述外延片光刻面朝向蒸发源装入... 铁剑锐 杜永超 许军 肖志斌 王鑫 梁存宝 孙希鹏文献传递 一种减少太阳电池细栅遮挡的光伏玻璃设计及其对太阳电池转换效率的影响分析 被引量:1 2021年 设计一种表面压花的光伏玻璃以减少太阳电池细栅遮挡。该光伏玻璃设计可适应入射角变化范围为0°~23.5°的情况,为无太阳追踪功能的太阳电池实现减少细栅栅线遮挡效果提供解决方案。对一种栅线设计情况下的光伏玻璃压花设计、厚度要求进行探讨,并采用TracePro软件对减遮挡效果进行光学仿真实验。针对光学仿真实验中光强分布情况,从功率损失和串联电阻2个方面分析新型光伏玻璃对太阳电池效率的影响。分析结果显示,新型光伏玻璃可将太阳电池转换效率提升0.20%-0.35%。 李晓东 孙希鹏 铁剑锐 铁剑锐关键词:太阳电池 太阳能 光学玻璃 光伏玻璃 太阳电池低应力电极设计 2019年 超薄太阳电池蒸镀背电极后因应力不均有可能出现翘曲问题,为解决这个问题,设计了两种低应力电极,分别为网状背电极和局部加厚背电极。采用电子束蒸发金属电极方法,在厚度为50μm,高效GaInP/GaAs/Ge正向晶格匹配三结砷化镓太阳电池上制备了网状低应力电极和局部加厚背电极。该电池面积为12.25cm^2,光电转换效率为29.52%(AM0,25℃),无明显翘曲。 铁剑锐 铁剑锐 杜永超带有加厚下电极的太阳电池 本实用新型属于太阳电池技术领域,其提供一种带有加厚下电极的太阳电池。本实用新型的带有加厚下电极的太阳电池,包括有上电极、外延片和下电极,所述上电极和下电极分别紧密贴合设置在所述外延片的上、下端面上,所述下电极上分别设置有... 铁剑锐 杜永超 许军 肖志斌 王鑫 梁存宝 孙希鹏文献传递