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李洪霞

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：济南大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇SNO

机构

  • 1篇济南大学
  • 1篇山东医学高等...

作者

  • 1篇王喆
  • 1篇王培吉
  • 1篇李洪霞

传媒

  • 1篇济南大学学报...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
钒掺杂SnO_2材料的电子结构和光学性质
2013年
基于密度泛函理论采用全势线性缀加平面波方法计算V掺杂SnO2后的电子态密度、能带结构、介电函数和吸收系数。结果表明:由于V的掺入,晶胞SnO2费米能级向导带方向移动,在费米能级附近形成新的电子占据态,出现杂质能带,这是由V-3d态和O-2p态电子杂化所形成;介电谱在0～3.0 eV之间时出现3个新的介电峰,在高能区介电谱主峰位置发生蓝移,峰值强度减少;吸收谱发生展宽,吸收谱与介电谱的峰相对应。
李洪霞王喆王培吉
关键词：光学性质
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