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王芸

作品数:7 被引量:9H指数:2
供职机构:上海交通大学微纳米科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室更多>>
发文基金:上海市科学技术发展基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术核科学技术更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇场发射
  • 2篇压力传感器
  • 2篇阳极
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇力传感器
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 2篇金刚石薄膜
  • 2篇刻蚀
  • 2篇计算机
  • 2篇计算机模拟
  • 2篇感器
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇旋涂
  • 1篇旋涂法
  • 1篇射线
  • 1篇碳纳米管阴极
  • 1篇平面化
  • 1篇牺牲层

机构

  • 6篇上海交通大学
  • 2篇上海大学
  • 1篇教育部
  • 1篇霍尼韦尔(中...

作者

  • 7篇徐东
  • 7篇王芸
  • 5篇蔡炳初
  • 4篇钱开友
  • 4篇叶枝灿
  • 3篇颜丙勇
  • 2篇龙沪强
  • 2篇卞建江
  • 2篇谢宽仲
  • 1篇林仰魁
  • 1篇吴茂松
  • 1篇侯中宇
  • 1篇王莉

传媒

  • 3篇微细加工技术
  • 1篇核电子学与探...
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2005
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
高分辨X射线成像器件——微间隙室(MGC)的研究
2007年
详细讨论了微间隙室的基本结构、特性及其主要研究内容;并在此基础上,探讨了微间隙室采用金刚石薄膜作为阳极电极微条和阴极电极微条之间的极间绝缘材料的可能性和有效性。为在第三代同步光源上实现具有良好时间和空间分辨的成像实验或衍射实验,提供了一种潜在的辐射成像探测器。
龙沪强王芸徐东谢宽仲卞建江
关键词:金刚石薄膜
一种新场发射压力传感器阳极膜结构的模拟与测试被引量:1
2005年
提出了场发射压力传感器阳极变形膜的双层膜结构。计算机模拟证明这种结构与已报道的单层膜相比具有大量程与高灵敏度的优点。对这种结构的形变特性进行了实验测试,考虑到测量误差与湿法刻蚀造成膜表面的不平整因素,测实结果与模拟结果较为相符。
钱开友颜丙勇林仰魁王芸徐东蔡炳初
关键词:场发射压力传感器计算机模拟
旋涂法制备碳纳米管阴极及其场发射性能的测试被引量:2
2006年
采用Y2O3和Ni作催化剂,在H2和He混合气体气氛下通过弧光放电法得到高纯度的单壁碳纳米管。在用热氧化提纯法对高纯度碳纳米管产物进行进一步提纯后,用这种碳纳米管粉末与酒精配制成悬浮液,通过旋涂、干燥、退火等工艺得到碳纳米管阴极薄膜。I-V测试表明用该法得到的碳纳米管薄膜具有良好的电子场致发射性能。
钱开友颜丙勇王芸叶枝灿徐东蔡炳初
关键词:旋涂法碳纳米管场发射
碳纳米管场发射压力传感器结构设计与测试
2005年
研制出了碳纳米管场发射压力传感器。在结构设计中提出了场发射压力传感器台阶双层阳极变形膜结构,计算机模拟证明,这种结构具有大量程与高灵敏度的优点。同时对这种结构的形变特性进行了实验测试,为传感器结构的整体尺寸设计提供了依据。最后对这种新型传感器的性能进行了测试,表明传感器的灵敏度为0.22μA/kPa(5kPa^101kPa)。
钱开友王芸叶枝灿颜丙勇徐东蔡炳初
关键词:碳纳米管场发射压力传感器计算机模拟
场发射硅锥阵列的干法制备与研究被引量:2
2006年
阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm^35 nm且具有良好一致性的尖锥。当阵列的场发射起始电压为1.4 V/μm,场强为9.2 V/μm时,单个硅锥的发射电流达到8.3 nA,并且性能较为稳定。
王芸徐东吴茂松王莉钱开友叶枝灿蔡炳初
关键词:干法刻蚀RIE场发射
基于光刻胶回流特性的平面化工艺被引量:2
2005年
研究了一种利用光刻胶的回流特性去除表面的磨痕,使其表面平整化的方法,结合牺牲层结构可以非常简便地制备出微机电器件中各种悬臂梁结构。着重研究了光刻胶的前烘胶温度、回流温度、回流时间对回流效果的影响。通过大量的实验得到了较好的回流工艺,即光刻胶90℃下60 min前烘后,并在90℃下回流60 min,不但能通过机械抛光准确控制减薄厚度,而且还可以完全除去其表面的磨痕,获得平滑的表面结构。
叶枝灿徐东王芸王莉吴茂松
关键词:光刻胶平面化牺牲层
基于金刚石薄膜的微间隙室制备被引量:2
2006年
采用金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层是一种新型的微间隙室(MGC)结构。该文详细介绍和讨论了采用常规的微细加工工艺制备基于金刚石薄膜介质层的MGC的制备技术,其典型结构为阳极微条宽20μm,微条间隔180μm,器件探测区面积为38mm×34mm。采用热丝CVD法制备的金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层,厚7~8μm,具有(100)晶面结构。金刚石的刻蚀采用反应离子刻蚀,Cr作掩膜,O2和SF6为刻蚀气体,刻蚀速率为79nm/min,与Cr的刻蚀比约为20:1。实验结果表明,采用的微加工结合自套准工艺可很好地解决金刚石薄膜的制备、图形化及金属阳极电极与金刚石薄膜的相互套准等金刚石薄膜的可加工性及兼容性问题,并制备出采用金刚石薄膜作为电极间绝缘介质层的新型MGC结构。
王芸龙沪强侯中宇徐东谢宽仲蔡炳初卞建江
关键词:金刚石薄膜反应离子刻蚀
共1页<1>
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