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伊新兵

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：济南市半导体元件实验所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

主题

  • 9篇陶瓷
  • 8篇塑封
  • 8篇封装
  • 6篇塑封器件
  • 6篇陶瓷金属化
  • 6篇陶瓷外壳
  • 4篇二极管
  • 3篇多层陶瓷
  • 3篇集成封装
  • 3篇MOS管
  • 2篇导电片
  • 2篇生产加工工艺
  • 2篇耐高温
  • 2篇耐高温性
  • 2篇耐高温性能
  • 2篇结构陶瓷
  • 2篇金属
  • 1篇电镀
  • 1篇电镀镍
  • 1篇电路

机构

  • 12篇济南市半导体...

作者

  • 12篇伊新兵
  • 12篇杨旭东
  • 10篇刘贵庆
  • 5篇李东华
  • 1篇侯杰

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2021
  • 7篇2019
  • 2篇2016
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳
本申请提供了封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳，包括陶瓷基座，金属环框，金属盖板，下埋层金属化层，上埋层金属化层，表面金属化层，8个引脚，8个内通孔金属化柱，8个外凹槽金属化层；通过多层陶瓷与多层金属化及...
杨旭东许为新张振兴伊新兵相裕兵
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用于封装四个二极管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳及其制备方法
本申请提供了一种用于封装四个二极管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳，包括陶瓷基座、金属环框、金属盖板、第一陶瓷金属化层、第二陶瓷金属化层、第三陶瓷金属化层、第四陶瓷金属化层、8个引脚、多个内通孔金属化柱以及8个外凹槽...
杨旭东王迎春宋树良张振兴刘贵庆相裕兵伊新兵
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一种金属钼材料的表面改性方法
本申请提供了一种金属钼材料的表面改性方法，包括以下依次进行的步骤：电解除油、化学除油、一次刻蚀处理、二次刻蚀处理、活化、电镀镍、热处理；本申请中金属钼材料与镀镍层的结合力强度好、镀镍层应力低、镀镍层厚度一致性好、镀镍层浸...
刘贵庆张振兴李东华相裕兵伊新兵杨旭东
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封装四个二极管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳
本申请提供了封装四个二极管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳，包括陶瓷基座、金属环框、金属盖板、第一陶瓷金属化层、第二陶瓷金属化层、第三陶瓷金属化层、第四陶瓷金属化层、8个引脚、多个内通孔金属化柱以及8个外凹槽金属化层...
朱坤存杨旭东宋树良王迎春张振兴刘贵庆相裕兵伊新兵
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一种可原位替代SOT-89塑封的陶瓷金属外壳
本实用新型提供了一种可原位替代SOT‑89塑封的陶瓷金属外壳，包括陶瓷基座、金属环框、金属盖板、用于其上放置芯片的内大导电片、内左导电片、内中导电片、内右导电片、外左导电片、外中导电片、外右导电片以及若干个导电柱；本申请...
伊新兵相裕兵杨旭东刘贵庆李东华
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用于混合集成电路的金属陶瓷封装外壳
本实用新型公开了一种用于混合集成电路的金属陶瓷封装外壳，包括结构陶瓷、套设于结构陶瓷外侧的金属环框、盖于金属环框上端的盖板以及焊接于结构陶瓷底部的金属底板，结构陶瓷上开有n个连接孔，n为大于等于1的正整数，每个连接孔内嵌...
杨旭东李东华相裕兵伊新兵刘贵庆
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用于封装四个二极管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳及其制备方法
本申请提供了一种用于封装四个二极管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳，包括陶瓷基座、金属环框、金属盖板、第一陶瓷金属化层、第二陶瓷金属化层、第三陶瓷金属化层、第四陶瓷金属化层、8个引脚、多个内通孔金属化柱以及8个外凹槽...
杨旭东王迎春宋树良张振兴刘贵庆相裕兵伊新兵
用于封装半导体器件的高可靠管壳
本实用新型公开了一种用于封装半导体器件的高可靠管壳，包括两块金属底板、两根金属连接柱、结构陶瓷、钼片、打线片、金属环框和盖板，所述结构陶瓷上开设有两个连接孔，所述两根金属连接柱嵌入连接孔内，所述钼片和打线片各自连接于两根...
李东华杨旭东刘贵庆伊新兵相裕兵
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一种可原位替代SOT-223塑封的陶瓷金属外壳
本实用新型提供了一种可原位替代SOT‑223塑封的陶瓷金属外壳，包括陶瓷基座、金属环框、金属盖板、内上导电片、内中导电片、内下左导电片、内下中导电片、内下右导电片、外上导电片、外中导电片、外下左导电片、外下中导电片、外下...
相裕兵伊新兵杨旭东刘贵庆李东华
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用于封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳及其制备方法
本申请提供了一种用于封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳，包括陶瓷基座，金属环框，金属盖板，下埋层金属化层，上埋层金属化层，表面金属化层，8个引脚，8个内通孔金属化柱，8个外凹槽金属化层；本申请还提供一种上...
刘贵庆杨旭东许为新张振兴相裕兵伊新兵
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