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徐明升

作品数：25 被引量：0H指数：0
供职机构：华南理工大学更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 13篇多量子阱
  • 12篇发光
  • 9篇二极管
  • 9篇发光二极管
  • 6篇电极
  • 6篇量子效率
  • 5篇氮化镓
  • 5篇内量子效率
  • 4篇导体
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体薄膜
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇掺杂
  • 3篇倒装
  • 3篇电极设计
  • 3篇电流扩展
  • 3篇钝化
  • 3篇钝化膜
  • 3篇栅电极
  • 3篇势垒

机构

  • 25篇华南理工大学

作者

  • 25篇王洪
  • 25篇徐明升

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 9篇2017
  • 6篇2016
  • 5篇2015
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有调制碳掺杂氮化镓高阻层的HEMT结构及其制备方法
本发明公开了具有调制碳掺杂氮化镓高阻层的HEMT结构及其制备方法。该HEMT结构自下而上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaN:C/GaN超晶格高阻层和AlGaN势垒层；其中高阻层由多层GaN：C故意碳掺杂层和...
徐明升王洪周泉斌
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具有组分和厚度渐变应力释放层的发光二极管结构及其制备方法
本发明公开了具有组分和厚度渐变应力释放层的发光二极管结构及其制备方法；该发光二极管结构自下而上依次为蓝宝石衬底、GaN成核层、非故意掺杂GaN层、N型GaN导电层、应力释放层、InGaN/GaN多量子阱有源层和P型GaN...
周泉斌徐明升王洪
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一种GaN基薄膜晶体管结构及其制备方法
本发明涉及一种GaN基薄膜晶体管结构及其制备方法。所述薄膜晶体管结构包括基板、绝缘介质膜、电极、晶体管的外延层和钝化介质膜。制备方法中，外延片制备好电极后，键合到绝缘基板上，然后去除原来的衬底，并减薄GaN缓冲层，最后沉...
徐明升王洪
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具有纳米微米复合图形的蓝宝石衬底
本实用新型提供具有纳米微米复合图形的蓝宝石衬底。该蓝宝石衬底上具有纳米量级图形和微米量级图形相结合的复合图形。本实用新型是在蓝宝石衬底上制备微米量级的图形；在微米量级的图形上沉积镍薄膜；使镍薄膜团聚成大量的镍纳米颗粒；以...
周泉斌徐明升王洪
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一种GaN基薄膜晶体管结构及其制备方法
本发明涉及一种GaN基薄膜晶体管结构及其制备方法。所述薄膜晶体管结构包括基板、绝缘介质膜、电极、晶体管的外延层和钝化介质膜。制备方法中，外延片制备好电极后，键合到绝缘基板上，然后去除原来的衬底，并减薄GaN缓冲层，最后沉...
徐明升王洪
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具有AlGaN导电层的发光二极管外延结构及其制法
本发明公开具有AlGaN导电层的发光二极管外延结构及其制法。发光二极管外延结构包括衬底、GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区和P型AlGaN导电层。P型导电层为含铝的AlGaN材料，且AlGaN层中的Al组分沿...
徐明升周泉斌王洪
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一种GaN基薄膜晶体管结构及其制备方法
本发明涉及一种GaN基薄膜晶体管结构及其制备方法。所述薄膜晶体管结构包括基板、绝缘介质膜、电极、晶体管的外延层和钝化介质膜。制备方法中，外延片制备好电极后，键合到绝缘基板上，然后去除原来的衬底，并减薄GaN缓冲层，最后沉...
徐明升王洪
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一种具有InGaN导电层的发光二极管外延结构
本实用新型涉及一种具有InGaN导电层的发光二极管外延结构。发光二极管结构包括蓝宝石衬底、GaN成核层、非故意掺杂GaN层、N型GaN导电层、In组分渐变层、N型InGaN导电层、多量子阱有源区和P型InGaN导电层。本...
徐明升王洪周泉斌
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一种具有GaN:C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构
本实用新型公开了一种具有GaN:C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构。该HEMT结构自下而上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaN:C/GaN超晶格高阻层和AlGaN势垒层；其中高阻层由多层GaN：C故意碳掺杂...
徐明升王洪周泉斌
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一种GaN基倒装HEMT器件结构
本实用新型涉及一种GaN基倒装HEMT器件结构。GaN基倒装HEMT器件结构包括基板、电极焊盘、电极、绝缘介质膜、外延层和导电通孔。所述外延层包括GaN缓冲层和AlGaN势垒层，栅电极一端穿过绝缘介质膜与栅电极焊盘连接，...
徐明升周泉斌王洪
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