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王宏兴

作品数:127 被引量:17H指数:2
供职机构:西安交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金内蒙古自治区自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程金属学及工艺理学更多>>

文献类型

  • 112篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 27篇电子电信
  • 11篇化学工程
  • 5篇金属学及工艺
  • 4篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇医药卫生
  • 1篇经济管理

主题

  • 95篇金刚石
  • 95篇刚石
  • 60篇单晶金刚石
  • 33篇晶体管
  • 30篇场效应
  • 30篇场效应晶体管
  • 16篇欧姆接触
  • 14篇接触电极
  • 14篇衬底
  • 12篇电极
  • 12篇欧姆接触电极
  • 11篇终端
  • 10篇单晶
  • 10篇探测器
  • 10篇金刚石薄膜
  • 10篇金刚石表面
  • 9篇掺杂
  • 8篇势垒
  • 7篇肖特基
  • 7篇键合

机构

  • 127篇西安交通大学
  • 3篇内蒙古工业大...
  • 1篇太原科技大学

作者

  • 127篇王宏兴
  • 61篇侯洵
  • 56篇王玮
  • 51篇卜忍安
  • 39篇问峰
  • 37篇张景文
  • 28篇赵丹
  • 22篇张明辉
  • 19篇王若铮
  • 13篇魏强
  • 11篇李奇
  • 11篇胡文波
  • 10篇吴胜利
  • 10篇朱天飞
  • 8篇王娟
  • 5篇胡超
  • 5篇王进军
  • 4篇王康
  • 4篇樊叔维
  • 3篇闫淑芳

传媒

  • 4篇人工晶体学报
  • 2篇无机材料学报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇2014`全...

年份

  • 4篇2024
  • 11篇2023
  • 9篇2022
  • 18篇2021
  • 19篇2020
  • 24篇2019
  • 18篇2018
  • 16篇2017
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇1990
127 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法,包括:金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、给电子材料层和栅电极;金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜;单晶金刚石外延薄膜上设置有源极...
王玮王宏兴林芳张明辉问峰王艳丰陈根强卜忍安
文献传递
一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种金刚石基多通道势垒调控场效应晶体管及其制备方法,包括金刚石衬底;在金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜;单晶金刚石外延薄膜上设置有台面区域;单晶金刚石外延薄膜上设置有刻蚀区域;台面区域内设置有多通道沟道...
王玮王宏兴问峰王艳丰林芳张明辉张景文卜忍安侯洵
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一种金刚石紫外探测器三维电极结构及其制作方法
本发明公开了一种金刚石紫外探测器三维电极结构,包括层叠设置的单晶金刚石衬底和本征单晶金刚石外延层,的金刚石外延层表面向外凸出设置有若干条相互平行的金刚石条,的金刚石外延层表面还设置有分别用于作为正极和负极的两个金属电极p...
王宏兴刘璋成赵丹张明辉王玮问峰卜忍安侯洵
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一种金刚石功率晶体管及其制作方法
本发明公开一种金刚石功率晶体管及其制备方法,该晶体管包括氢终端金刚石、源电极、漏电极、栅介质和栅电极,该金刚石功率晶体管的源电极和漏电极采用环形结构;所述栅电极带有场板结构。本发明由于采用的是环形结构,可以有效地改善晶体...
王宏兴胡超张景文王玮卜忍安侯洵
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高质量硼掺杂单晶金刚石同质外延及电学性质研究被引量:1
2022年
突破高质量、高效金刚石掺杂技术是实现高性能金刚石功率电子器件的前提。本文利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,以三甲基硼为掺杂源,制备出表面粗糙度0.35 nm,XRD(004)摇摆曲线半峰全宽28.4 arcsec,拉曼光谱半峰全宽3.05 cm^(-1)的高质量硼掺杂单晶金刚石。通过改变气体组分中硼元素的含量,实现了10^(16)~10^(20) cm^(-3)的p型金刚石可控掺杂工艺。随后,研究了硼碳比、生长温度、甲烷浓度等工艺条件对p型金刚石电学特性的影响,结果表明:在硼碳比20×10^(-6)、生长温度1100℃、甲烷浓度8%、腔压160 mbar(1 mbar=100 Pa)时p型金刚石迁移率达到207 cm^(2)/(V·s)。通过加氧生长可以提升硼掺杂金刚石结晶质量,降低杂质散射。当氧气浓度为0.8%时,样品空穴迁移率提升至614 cm^(2)/(V·s)。
王若铮闫秀良彭博彭博魏强魏强
关键词:单晶金刚石P型掺杂硼掺杂MPCVD空穴迁移率
一种可吸附拼接生长大面积单晶金刚石的方法
本发明公开了一种可吸附拼接生长大面积单晶金刚石的方法,解决了现有拼接过程中,容易使得样品在生过程中的相对位置发生改变,甚至样品翘曲的问题。基于一样品托,在其上竖直贯穿设置有至少两组吸附通道,每组吸附通道包括一个或多个通孔...
王宏兴王艳丰王玮常晓慧张少鹏惠斯佳常成东
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载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法,所述金刚石场效应晶体管包括:金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜;单晶金刚石外延薄膜设置有第一重掺杂金刚石薄膜区域和第二重掺杂金刚石薄膜区域;在第一重掺杂...
王玮牛田林梁月松陈根强方培杨冯永昌熊义承王艳丰林芳张明辉问峰卜忍安王宏兴侯洵
一种金刚石通孔阵列结构及其制备方法和应用
本发明公开了一种金刚石通孔阵列结构及其制备方法和应用,所述金刚石通孔阵列结构包括:预设厚度的金刚石;所述金刚石设置有通孔阵列,所述通孔阵列的通孔内灌注有电极,所述电极用于实现金刚石上下表面的短垂直电互联。本发明的结构,既...
司金海沈天伦陈涛张大琪胡文波王宏兴侯洵
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一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法
本发明公开了一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法,通过在硅晶圆衬底表层下形成氢层,然后再在形成氢层的硅晶圆衬底表层上生成金刚石薄膜,然后通过电化学剥离方法从硅晶圆衬底氢离子层处剥离使硅晶圆衬底和金刚石薄膜分离,形成自撑金...
张景文王进军陈旭东李洁琼王晓亮卜忍安王宏兴侯洵
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一种(100)晶向金刚石n-i-p结二极管及其制备方法
本发明公开了一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管及其制备方法,解决了传统金刚石p‑i‑n结二极管中n型层欧姆接触电阻率大、i型层质量低的问题,从而提升金刚石功率电子器件的性能和应用前景。一种(100)晶向金刚石n‑...
王宏兴刘璋成赵丹王娟邵国庆易文扬李奇王玮问峰
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共13页<12345678910>
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