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马玲玲

作品数:14 被引量:0H指数:0
供职机构:浙江大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 13篇石墨
  • 11篇石墨烯
  • 6篇探测器
  • 6篇光电
  • 5篇量子
  • 5篇量子点
  • 5篇硅量子点
  • 5篇氟化
  • 5篇氟化石墨
  • 4篇量产
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇氟化剂
  • 4篇
  • 4篇掺硼
  • 3篇半导体
  • 2篇氧化硅
  • 2篇偏压
  • 2篇开关比
  • 2篇工艺过程

机构

  • 14篇浙江大学

作者

  • 14篇马玲玲
  • 13篇徐杨
  • 11篇刘雪梅
  • 9篇李炜
  • 9篇刘威
  • 7篇万霞
  • 7篇王锋
  • 7篇陆薇
  • 7篇孟楠
  • 7篇王雪
  • 7篇郭宏伟
  • 7篇程呈
  • 4篇皮孝东

年份

  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 5篇2015
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法
本发明公开了一种基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法,该光电导探测器包括p型硅衬底、二氧化硅隔离层、顶电极、石墨烯薄膜、掺硼硅量子点薄膜和底电极;本发明光电导探测器可以进行宽光谱探测,解决了传统硅基...
徐杨马玲玲刘雪梅倪朕伊杜思超皮孝东
文献传递
一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属‑半导体‑金属光电探测器的方法
本发明公开了一种制备柔性透明的石墨烯/硅金属‑半导体‑金属光电探测器的方法,包括:将SOI硅衬底的硅薄膜刻蚀成硅条;在SOI硅衬底的二氧化硅隔离层上表面光刻出金电极图形,镀金电极;制备单晶石墨烯薄膜;在二氧化硅隔离层、硅...
徐杨马玲玲阿亚兹李炜刘威吕建杭
基于石墨烯/掺硼硅量子点/硅的光电探测器及制备方法
本发明公开了一种基于石墨烯/掺硼硅量子点/硅的光电探测器及制备方法,该光电探测器包括n型硅衬底、顶电极、石墨烯薄膜、掺硼硅量子点薄膜和底电极;本发明光电探测器可以进行宽光谱探测,解决了传统硅基PIN结对红外探测响应低的问...
徐杨刘雪梅马玲玲皮孝东仇晓东杜思超
文献传递
基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法
本发明公开了一种基于掺硼硅量子点/石墨烯/二氧化硅的光电导探测器及制备方法,该光电导探测器包括p型硅衬底、二氧化硅隔离层、顶电极、石墨烯薄膜、掺硼硅量子点薄膜和底电极;本发明光电导探测器可以进行宽光谱探测,解决了传统硅基...
徐杨马玲玲刘雪梅倪朕伊杜思超皮孝东
文献传递
基于石墨烯/掺硼硅量子点/硅的光电探测器及制备方法
本发明公开了一种基于石墨烯/掺硼硅量子点/硅的光电探测器及制备方法,该光电探测器包括n型硅衬底、顶电极、石墨烯薄膜、掺硼硅量子点薄膜和底电极;本发明光电探测器可以进行宽光谱探测,解决了传统硅基PIN结对红外探测响应低的问...
徐杨刘雪梅马玲玲皮孝东仇晓东杜思超
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氟化石墨烯泡沫的制备方法
本发明公开了一种氟化石墨烯泡沫的制备方法。主要采用深反应刻蚀的方法,以 SF<Sub>6</Sub>气体作为氟化剂制得氟化石墨烯。所制得氟化石墨烯泡沫为任意所需形状。本发明方法制备的氟化石墨烯泡末氟化程度高,氟化性质好。...
徐杨陆薇孟楠万霞程呈阿亚兹郭宏伟周翰铭王雪施添锦王锋马玲玲刘雪梅李炜刘威
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一种氟化石墨烯/石墨烯异质结的制备方法
本发明公开了一种氟化石墨烯/石墨烯异质结的制备方法,主要采用深反应刻蚀的方法,以?SF<Sub>6</Sub>气体作为氟化剂制得氟化石墨烯/石墨烯异质结。所制得的氟化石墨烯异质结为多层,顶层为氟化石墨烯,顶层以下为石墨烯...
徐杨陆薇阿亚兹孟楠万霞程呈郭宏伟周翰铭王雪施添锦王锋马玲玲刘雪梅李炜刘威
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高性能硅量子点石墨烯硅基光电探测器的研究
石墨烯独特的零带隙能带结构,使其从紫外到中红外很宽的频带内可以产生光生电子空穴对,且石墨烯内部的光学跃迁可以将光吸收范围拓宽至远红外,甚至太赫兹波段。凭借其优异的光学特性和电导率,石墨烯在光电探测方面有着广阔的应用前景。...
马玲玲
关键词:石墨烯硅量子点肖特基结
一种氟化石墨烯的制备方法
本发明公开了一种氟化石墨烯的制备方法,主要采用深反应刻蚀的方法,以SF<Sub>6</Sub>气体作为氟化剂制得氟化石墨烯。所制得的氟化石墨烯为单层或多层。本发明方法制备的氟化石墨烯氟化程度高,氟化性质好,该方法可用于大...
徐杨陆薇阿亚兹孟楠万霞程呈郭宏伟周翰铭王雪施添锦王锋马玲玲刘雪梅李炜刘威
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基于石墨烯/硅的接触势垒场效应管及其制备方法
本发明公开了一种基于石墨烯/硅的接触势垒场效应管,自下而上依次包括栅极、n型硅衬底和二氧化硅隔离层,所述的二氧化硅隔离层上开有窗口,窗口两侧的二氧化硅隔离层表面上分别具有源极和漏极,所述的接触势垒场效应管还包括石墨烯导电...
徐杨王雪郭宏伟陆薇马玲玲刘雪梅孟楠阿亚兹万霞程呈施添锦王锋李炜刘威
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共2页<12>
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