王凌华
- 作品数：28 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国科学院福建物质结构研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器
- 本实用新型涉及一种基于多模干涉结构的锁模半导体激光器，该锁模半导体激光器采用条形波导结构、脊波导结构或楔形波导结构，在所述波导结构上形成增益区、电隔离区和饱和吸收区，所述电隔离区位于增益区和饱和吸收区之间，所述吸收区的一...
- 徐玉兰林琦林中晞王凌华苏辉
- 文献传递
- 一种激光二极管与背光探测器集成的制备方法及集成芯片
- 本公开涉及一种二极管激光器与背光探测器集成的方法，该方法包括：形成脊的步骤，形成隔离区的步骤，SiN填充隔离区的步骤，蒸发P、N型电极的步骤，合金的步骤，镀膜的步骤。本公开还涉及上述制备方法制得二极管激光器与背光探测器(...
- 丘文夫林琦林中晞王凌华徐玉兰陈景源苏辉
- InGaAsP多量子阱双稳态激光器的实验及理论研究
- 2018年
- 从实验和理论上研究了InGaAsP多量子阱(Multi-Quantum-Well,MQW)双区共腔(Common Cavity Tandem Section, CCTS)结构半导体激光器的吸收区偏置状态对双稳态特性的影响。实验结果表明:随着可饱和吸收区上的负偏置电压的增大,激光器P-I曲线中双稳态特性更加明显,V-I曲线有负微分电阻,当偏压加至-3 V时,回滞曲线环宽度增加至13.5 mA,开关比达到21:1。理论分析表明,利用吸收区的高负偏置态和短载流子逃逸时间能获得更好的双稳态特性。最大107:1的开关比也说明双区共腔激光器能在两稳态之间实现非常明确的转换。
- 徐玉兰林中晞林中晞陈景源王凌华林琦
- 关键词：双稳态半导体激光器开关比
- 一种含侧边吸收区的超辐射发光管
- 本实用新型涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管，包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区，在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区，侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本实用新型利用侧边吸收区所...
- 周东豪林琦林中晞苏辉薛正群陈阳华王凌华訾慧徐玉兰陈景源林乐
- 文献传递
- 一种DFB半导体激光器
- 本实用新型涉及一种DFB半导体激光器，所述DFB半导体激光器为包含多个激光器的单颗管芯，其中，每个激光器具有的脊型波导相互独立，所述管芯还包括金属覆盖区域，所述金属覆盖区域位于所述脊型波导的上表面，每个脊型波导由各自对应...
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- 文献传递
- 1550nm宽光谱超辐射发光二极管的研制被引量：3
- 2018年
- 超辐射发光二极管因其宽光谱低抖动的光谱特点以及输出光为非相干光的特性,在光学相干层析成像技术、光处理技术等领域具有重要应用。为获得宽光谱低抖动的超辐射输出光,设计并制备了一种1 550 nm AlGaInAs多量子阱超辐射发光二极管。采取倾斜12°波导并增加隔离区,结合抗反射薄膜,最终实现宽光谱输出的超辐射发光二极管,并比较了有无隔离区对器件性能的影响。实验结果表明,制得的超辐射发光二极管3 dB光谱宽度可拓宽至83 nm,光谱纹波小于0.1 dB,在200 mA工作电流下,出光功率大于1.5 mW。
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- 关键词：超辐射发光二极管隔离区
- 一种含侧边吸收区的超辐射发光管
- 本发明涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管，包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区，在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区，侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本发明利用侧边吸收区所具有的光...
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- 文献传递
- 一种超辐射发光二极管芯片的制备方法及制得的发光二极管芯片
- 本发明涉及一种超辐射发光二极管芯片的制备方法，该方法包括：一次外延的步骤、形成脊的步骤、二次外延的步骤、形成隔离区的步骤、蒸发P型电极的步骤、蒸发N型电极、合金的步骤、镀膜的步骤。本发明还涉及由上述制备方法制得的超辐射发...
- 薛正群周东豪王凌华林琦林中晞陈阳华苏辉
- 文献传递
- 一种DFB半导体激光器
- 本实用新型涉及一种DFB半导体激光器，包括：脊型波导激光器、光栅和探测器，其中，脊型波导激光器位于基片表面靠近出光端面的区域，光栅和探测器位于脊型波导激光器的腔外，光栅刻蚀到衬底层并靠近脊型波导激光器，探测器位于基片表面...
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- 文献传递
- 一种超辐射发光二极管芯片的制备方法及制得的发光二极管芯片
- 本发明涉及一种超辐射发光二极管芯片的制备方法，该方法包括：一次外延的步骤、形成脊的步骤、二次外延的步骤、形成隔离区的步骤、蒸发P型电极的步骤、蒸发N型电极、合金的步骤、镀膜的步骤。本发明还涉及由上述制备方法制得的超辐射发...
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