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周久人

作品数：39 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 38篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 6篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 27篇铁电
  • 13篇存储器
  • 10篇电极
  • 10篇掺杂
  • 8篇电路
  • 7篇铁电材料
  • 7篇晶体管
  • 7篇集成电路
  • 7篇场效应
  • 6篇极化电荷
  • 6篇极化电极
  • 6篇场效应晶体管
  • 6篇存储器件
  • 5篇电容
  • 5篇可重构
  • 5篇沟道
  • 5篇大规模集成电...
  • 4篇电容型
  • 4篇探测器
  • 4篇绝缘

机构

  • 39篇西安电子科技...

作者

  • 39篇周久人
  • 26篇韩根全
  • 25篇郝跃
  • 19篇刘艳
  • 8篇刘宁
  • 7篇张进城
  • 7篇张春福
  • 5篇汪银花
  • 1篇许静

年份

  • 3篇2024
  • 15篇2023
  • 8篇2022
  • 5篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
共 39 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种光控电容型铁电存储器及其制备方法
本发明提供了一种光控电容型铁电存储器，包括自下而上依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层、顶电极；所述半导体层的耗尽层电容状态代表了铁电存储器的存储信息；所述顶电极施加电压，半导体层中的载流子数量受光照调控与铁电介质层中...
周久人刘艳刘宁韩根全郝跃
横向GeSn/SiGeSn量子阱光电发光器件及其制备方法
本发明公开了一种横向GeSn/SiGeSn量子阱发光器件，主要解决现有红外发光器件材料毒性大，成本高的问题。其包括：衬底(1)、量子阱(2)、势垒层(3)、N型电极(4)和P型电极(5)。量子阱采用Sn组分为[0,0.3...
韩根全张春福周久人张进城郝跃
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基于铁电掺杂的负电容场效应晶体管
本发明公开了一种基于铁电掺杂的负电容场效应晶体管，主要解决现有器件亚阈值摆幅高及化学掺杂不稳定的问题。其自下而上包括衬底(1)、沟道(2)、栅极绝缘介质层(9)、栅极铁电层(10)、栅极金属电极(11)，沟道两侧为源区(...
刘艳姜昊周久人韩根全郝跃
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横向Ⅳ族元素量子阱光电探测器及制备方法
本发明公开了一种横向Ⅳ族量子阱光电探测器，主要解决现有红外光电探测器材料毒性大，成本高的问题。其包括：衬底(1)、下电极(2)、吸收区(3)和上电极(4)。所述量子阱(31)采用Sn组分为大于等于0小于等于0.3的GeS...
韩根全张春福周久人汪银花张进城郝跃
一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法
本发明提供一种多态相边界动态随机存储器件及其制备方法，包括接入晶体管、公用底电极、若干个顶电极，公用底电极上设有MPB氧化铪基介电层，顶电极沿着竖直方向依次设置，MPB氧化铪基介电层设置在公用底电极和顶电极之间；公用底电...
周久人孙温馨韩根全郝跃
基于GeSn-SiGeSn材料的II型异质结隧穿场效应晶体管
本发明公开了一种基于GeSn/SiGeSn材料的II型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有基于IV族材料的隧穿场效应晶体管性能差的问题。其包括衬底(1)、源极(2)、沟道(3)和漏极(4)。源极采用Sn组分为[0.05,...
韩根全张春福周久人汪银花张进城郝跃
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基于新型High-K材料的GeSn沟道场效应晶体管
本发明公开了一种基于新型High?K材料的GeSn沟道场效应晶体管，主要解决现有基于现有介质材料的场效应晶体管，静态功耗大的问题。其包括：衬底(1)、沟道(2)、绝缘介质薄膜(3)、栅电极(4)、源极(5)和漏极(6)，...
韩根全张春福周久人汪银花张进城郝跃
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基于铁电掺杂的互补场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种基于铁电掺杂的互补场效应晶体管，主要解决现有互补场效应晶体管随着器件尺寸的不断减少，产生的掺杂浓度梯度降低、随机掺杂波动大、温度升高的问题。其自下而上包括：衬底(1)、底沟道层(2)、材料层(3)、顶沟道...
刘艳冯雯静周久人韩根全郝跃
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基于铁电材料的半导体掺杂方法
本发明公开了一种基于铁电材料的半导体掺杂方法，主要解决现有掺杂方法精度低、均匀性差及对半导体材料有晶格损伤的问题。其实现方案是：1)使用包含不同的铁电元素的气体作为前驱体，利用原子层淀积工艺在半导体衬底上生长一层5‑15...
刘艳周久人唐建韩根全郝跃
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一种铁电电容型存储器多值存储光电协同操作方法
一种铁电电容型存储器多值存储光电协同操作方法，所述铁电电容型存储器包括依次设置的底电极、半导体层、铁电介质层和顶电极，其特征在于，以所述半导体层的耗尽层电容与铁电介质层电容的串联电容C<Sub>acc</Sub>代表存储...
周久人刘宁韩根全郝跃
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