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王丹丹

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:长安大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金凝固技术国家重点实验室开放课题国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土化合物
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇化合物
  • 1篇光辐射

机构

  • 1篇长安大学
  • 1篇西北工业大学

作者

  • 1篇徐义库
  • 1篇郝建民
  • 1篇刘林
  • 1篇宋绪丁
  • 1篇肖君霞
  • 1篇王丹丹
  • 1篇张军

传媒

  • 1篇材料热处理学...

年份

  • 1篇2016
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
含有易挥发元素的Eu2PdSi3光辐射悬浮区熔法晶体生长
2016年
新型磁盘存储材料Eu_2PdSi_3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点。本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu_2PdSi_3单晶。采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu_2PdSi_3晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu_2PdSi_3晶体。研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题。
徐义库王丹丹宋绪丁于金丽肖君霞郝建民刘林张军LOSER Wolfgang
关键词:单晶生长稀土化合物
共1页<1>
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