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牟伟明

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：西安理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇直拉硅
  • 2篇直拉硅单晶
  • 2篇响应面
  • 2篇响应面法
  • 2篇硅单晶
  • 1篇直拉法
  • 1篇数对
  • 1篇工艺参
  • 1篇固液
  • 1篇固液界面

机构

  • 2篇西安理工大学

作者

  • 2篇牟伟明
  • 1篇刘丁
  • 1篇张晶

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于响应面法的直拉硅单晶生长工艺参数优化方法被引量：2
2018年
在直拉法制备硅单晶的过程中,要得到优质的晶体必须建立合理的温度分布,而单晶炉内热场的分布与工艺参数的设定密切相关。其中以晶体转速、坩埚转速和拉速等三个工艺参数对热场分布的影响尤为显著。为了确定最佳热场分布下晶转、埚转及拉速的设定值,本文采用响应面算法通过方程拟合、回归分析等步骤求解这三个工艺参量与温度梯度之间的最佳函数模型,并在该模型下同时对这三个工艺参量进行优化分析,且通过仿真实验和拉晶实验表明该方法的有效性。
张晶潘亚妮刘丁牟伟明
关键词：直拉硅单晶固液界面响应面法
直拉硅单晶工艺参数对热场的影响研究
进入21世纪以来，以半导体技术为基础的计算机、通信技术等信息产业(IT)及以太阳能电池技术为主的光伏产业飞速发展，而硅单晶作为其重要的原材料，它生长技术的改进和突破是IT产业发展的基础。直拉法(CZ)作为生产硅单晶的重要...
牟伟明
关键词：直拉法硅单晶响应面法
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