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吴学海

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

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  • 2篇相位调制
  • 2篇相位调制器
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  • 1篇单片
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机构

  • 3篇中国科学院上...

作者

  • 3篇吕章德
  • 3篇吴学海
  • 2篇邬祥生
  • 2篇李允平
  • 2篇周萍
  • 1篇施惠英
  • 1篇陈兴国
  • 1篇程宗权
  • 1篇王晨
  • 1篇朱祖华
  • 1篇蒋惠英
  • 1篇王惠民
  • 1篇杨易
  • 1篇胡征

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇高速摄影与光...

年份

  • 1篇1996
  • 2篇1990
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
InP系波导和光电探测器单片集成
1996年
本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．
杨易陈兴国程宗权王惠民吕章德蒋惠英王晨施惠英吴学海朱祖华胡征
关键词：磷化铟光电探测器单片集成
可集成的高效率InGaAsP相位调制器
1990年
GaAs-AlGaAs和InGaAsP-InP体系光电波导调制器已日益引起人们的兴趣。预计它们可以用于高速光通信,相干光通信和激光陀螺。 本文报道一种用耗尽边带传输加反向偏压p-n结结构的高效InGaAsP/InP相位调制器。该调制器用液相外延、湿法腐蚀和常规工艺制备。这种波导禁带波长1.3μm的调制器在1.52μm波长观察到很大的相位移效率,对TE模和TM模来说分别为60°/V·mm和43°/V·mm。
邬祥生吴学海李允平吕章德龚连根周萍吴长川
关键词：INGAASP相位调制器
InGaAsP相位调制器的研究被引量：1
1990年
本文报道了InGaAsP/InP脊形相位调制器的初步研究结果。采用水平液相外延,常规器件工艺和湿法化学腐蚀方法,制得了波导宽度4—8μm,反向击穿电压3—5V的相位调制器。用Mach—Zehnder干涉光路,和1.52μum激光源对器件进行测量,得到迄今最高的相位移效率—TE和TM模分别为60°/V·mm和43°/V·mm。
邬祥生李允平吴学海吕章德龚连根周萍吴长川
关键词：半导体材料相位调制器INGAASP
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