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李淑文

作品数:5 被引量:5H指数:1
供职机构:吉林大学更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇涂层
  • 2篇腔面
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇辐射发光
  • 2篇INGAAS...
  • 2篇超辐射
  • 2篇超辐射发光二...
  • 1篇单片
  • 1篇低频
  • 1篇电噪声
  • 1篇异质结
  • 1篇噪声
  • 1篇刻蚀
  • 1篇激光器腔面
  • 1篇光电
  • 1篇光电子

机构

  • 5篇吉林大学

作者

  • 5篇刘明大
  • 5篇李淑文
  • 4篇石家纬
  • 3篇金恩顺
  • 2篇高鼎三
  • 2篇马东阁
  • 1篇吴辉
  • 1篇张星星
  • 1篇崔旭

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇中国激光
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 3篇1990
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
1.3μmInGaAsP/InP涂层结构超辐射发光二极管输出特性的理论和实验被引量:1
1995年
本文用考虑了增益饱和和热效应的耦合速率方程,对减反射涂层结构1.3μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管的输出特性进行了计算,给出了腔长、有源层厚度和后腔面反射率对其输出光功率的影响以及光谱半宽随腔长和注入电流的变化。计算结果与我们制备的该结构超辐射发光二极管测试结果有较好的符合。
马东阁石家纬刘明大金恩顺李淑文高鼎三
关键词:超辐射发光二极管涂层INGAASP/INP
1.3μm InGaAsP/InP超辐射发光二极管的低频光、电噪声研究被引量:3
1996年
给出了研制的1.3μmInGaAsP/InP超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声及其相关性的实验结果。结合电导数、光导数及光谱测试进行了分析和讨论。结果表明.超辐射发光二极管的低频光噪声和电噪声有相关性.其噪声大小与器件材料质量、结构参数及工作条件密切相关。
马东阁石家纬金恩顺刘明大李淑文高鼎三
关键词:发光二极管电噪声INGAASP/INP
GaAlAs超发光二极管被引量:1
1990年
本文报导在 GaAlAs 双异质结激光器腔面上,蒸镀 ZrO_2减反射涂层,制成了 GaAlAs 超发光二极管。室温连续输出最大功率为9.1mW,光谱带宽为155 。
刘明大石家纬金恩顺李淑文
关键词:GAALAS异质结激光器腔面
GaAs/GaAlAs半导体激光器后腔面蒸镀ZrO_2/SiO_2多层涂层
1990年
半导体激光器和光发射二极管是光纤通讯、光信息处理、光计算、光存贮等的重要元件,是集成光电子学、集成光学中不可缺少的重要单元。提高它们的量子效率、输出功率、可靠性、延长使用寿命等一直是人们所关注的问题。腔面涂层就是一个非常有效的途径。目前,这方面的研究很活跃,有很多报道。
石家纬刘明大李淑文崔旭张星星
关键词:半导体激光器腔面涂层
适于单片光电子集成的中止解理技术
1990年
本文对中止解理技术进行了较详细的讨论;并给出了实现中止解理技术的几种较理想的腐蚀液及其刻蚀速率曲线。
刘明大吴辉李淑文
关键词:单片光电子集成刻蚀
共1页<1>
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