孙景兰
- 作品数：5 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 氢对硅中4d过渡杂质的钝化被引量：1
- 1994年
- 本文研究了氢原子与Ｓｉ中４ｄ过渡杂质（Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ）引入深中心的相互作用，得到了Ｓｉ中这些深中心被钝化的难易程度．从钝化角度支持了Ｓｉ：Ｐｄ与Ｓｉ：Ｒｈ中有关能级属于同一中心、不同荷电态的判断，同时提出了Ｓｉ：Ｍｏ中Ｅ（０．５３）和Ｈ（０．１６）两个能级属于同一中心、不同荷电态的证据，通过氢对已知同一中心、不同荷电态两个能级的相互作用，对氢的钝化机理作了初步探讨．
- 周洁王永康孙景兰卢励吾吴汲安
- 关键词：硅氢钝化
- GaAs／GaAlAs单量子阱光调制器电学行为
- 1994年
- 利用导纳谱研究了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ单量子阱光调制器的电学行为，观察到了量子阱中电子或空穴子能带的“场致去局域化”
- 周洁封松林卢励吾孙景兰
- 关键词：光调制器
- 发蓝绿光纳米硅薄膜的快速热处理制备被引量：1
- 1998年
- 使用除氢、高温成核和低温生长的三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－ＳｉＨ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜．该薄膜在波长为４５７．９ｎｍ的Ａｒ＋激光的激发下，在室温发射出蓝绿光．
- 刘世祥朱美芳石万全刘渝珍韩一琴刘金龙陈国孙景兰陈培毅唐勇
- 关键词：纳米硅非晶硅
- 热丝法制备纳米晶硅薄膜结构及沉积机制的研究被引量：11
- 1997年
- 用热丝法制备了纳米晶硅薄膜．通过Ｒａｍａｎ散射谱及Ｘ射线谱，系统地研究了沉积气压Ｐｇ、高Ｈ２稀释及衬底与钨丝之间距离对沉积速率、纳米硅薄膜的形成和结构等的影响．计算了沉积过程中的温度场分布．讨论了沉积过程中反应基元的输运和相关的气相反应，以及Ｈ在薄膜生长中的作用，由此分析了沉积参量对薄膜结构的影响，得到了与实验相一致的结果．
- 陈国郭晓旭朱美芳朱美芳许怀哲韩一琴
- 关键词：热丝法纳米晶硅
- N^+注入硅RTA样品的蓝绿光发射被引量：3
- 1996年
- 自发现多孔硅在室温下可以发射可见光以来,人们对量子尺寸限制效应的研究兴趣剧增。由于多孔硅结构疏松,不利于广泛应用,人们开始将注意力转移到纳米硅薄膜的研究。朱美芳等人利用非晶硅薄膜快速退火处理,获得连续纳米硅薄膜,并观察到蓝绿光发射,但在脱氢过程中,纳米硅薄膜易损坏。本文通过高剂量N^+注入到硅基体上,经快速退火形成硅与氮化硅镶嵌结构的大面积的纳米硅薄膜,T≥1000℃退火后的样品,观测到有稳定的蓝绿光(500～610nm)发射。
- 刘渝珍石万全陈建新李玉芝陈志坚孙景兰柳雪君刘振祥张裕恒沈光地
- 关键词：纳米硅离子注入快速退火
