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薄膜电致发光器件中SiO_2层加速机制的研究被引量：3: 1997年; 研究非晶ＳｉＯ２缺陷能级上电子的隧道效应，移植实验的ＸＰＳ芯能级谱技术，用ＤＶ－Ｘα计算界面ＳｉＯ２／ＺｎＳ的能带断错，认为该界面处的能带断错是电子加速的主要机制．; 王平刘勇刘勇杨波马义杨波; 关键词：TFEL 隧道效应电致发光器件二氧化硅

掺杂稀土离子发光动力学模型被引量：4: 1999年; 研究了发光体系中能量传递对发光时间演化的影响．针对以往各种能量传递模型中存在的问题，同时考虑施主受主（ＤＡ）能量传递和施主施主（ＤＤ）能量迁移，将只考虑ＤＡ能量传递的ＩＨ，ＤＨ，ＶＦ模型与考虑到ＤＤ能量迁移的跳跃模型Ｂ分别结合起来，建立了ＩＨＢ，ＤＨＢ，ＶＦＢ三种综合模型．采用这些模型对钾冰晶石（ｅｌｐａｓｏｌｉｔｅ）体系的施主发光激发态占据概率进行数值模拟，给出不同Ｄ、Ａ浓度下及不同ＤＡ，ＤＤ作用强度条件下施主发光的时间演化曲线，发现ＶＦＢ模型给出的曲线最合理．; 马义闫阔杨波夏上达; 关键词：掺杂稀土离子

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杨波