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陈伯军

作品数：8 被引量：3H指数：1
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇LP
  • 3篇MOCVD生...
  • 2篇应变超晶格
  • 2篇晶格
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇INGAAS...
  • 2篇LP-MOC...
  • 2篇超晶格
  • 2篇INGAAS
  • 1篇电子学
  • 1篇多层结构
  • 1篇铟镓砷
  • 1篇镓铝砷
  • 1篇镓铝砷化合物
  • 1篇量子
  • 1篇量子电子学
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇磷化铟
  • 1篇磷化镓

机构

  • 3篇吉林大学
  • 3篇兰州大学
  • 2篇厦门大学

作者

  • 8篇陈伯军
  • 6篇刘式墉
  • 6篇杨树人
  • 5篇刘宝林
  • 3篇陈光华
  • 3篇崔敬忠
  • 2篇甘润今
  • 2篇王本忠
  • 2篇张仿清
  • 2篇秦福文
  • 1篇安海岩
  • 1篇李正庭
  • 1篇王悦
  • 1篇侯晶莹
  • 1篇陈龙海
  • 1篇陈朝
  • 1篇陈丽容
  • 1篇赵方海
  • 1篇李传南
  • 1篇杜国同

传媒

  • 2篇吉林大学自然...
  • 2篇兰州大学学报...
  • 1篇光子学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第四届全国固...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1996
  • 2篇1995
  • 3篇1994
  • 1篇1993
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料
1995年
Ｌｐ─ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＡｌＡｓ量子阱结构材料崔敬忠，甘润今，陈光华，张仿清（兰州大学物理学系，兰州７３００００）杨树人，刘宝林，陈伯军，刘式墉（国家集成光电子学联合实验室，吉林大学实验区，长春１３００２３）与ＩｎＰ匹配的Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ...
崔敬忠甘润今陈光华张仿清杨树人刘宝林陈伯军刘式墉
关键词：量子电子学
LP—MOCVD研制InGaAs／InP应变量子阱LD被引量：1
1996年
本文指出在ＬＰ—ＭＯＣＶＤ生长过程中，采用量子阱有源区和上限制层不同的生长温度以及生长非掺杂过渡层等技术能有效地控制ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱激光器的ｐ—ｎ结结位，给出了采用ＤＥＺｎ和Ｈ＿２Ｓ做掺杂源在ＩｎＰ材料中ｐ型和ｎ型杂质溶度和ｐ－ｎ结控制的条件，并研制出有源区阱层ＩｎＧａＡｓ与ＩｎＰ存在０．５％压缩应变量子阱激光器，这一结构ＬＤ实现室温脉冲激射，得到峰值功率为１０６ｍＷ以上，阈值电流密度为２．６ｋＡ／ｃｍ２。
刘宝林杨树人陈伯军王本忠安海岩秦福文刘式墉
关键词：MOCVD激光器INGAAS
高铝GaAlAs及其多层结构MOVPE生长特性
1993年
本文报导了高铝GaAlAs及其多层结构的生长特性.X光双晶衍射结果表明,多层GaAlAs叠层材料的X光双晶衍射峰呈现多级卫星峰,这表明材料具有良好的晶体完整性和结构周期性.
张晓波杨树人陈伯军赵方海秦福文杜国同
关键词：多层结构镓铝砷化合物MOVPE
ＬＰ—ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱激光器结构材料
陈伯军杨树人
关键词：激光器磷化铟磷化镓
LP－MOVPE生长InGaAs应变超晶格被引量：1
1994年
本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。
杨树人刘宝林陈伯军刘式墉崔敬忠陈光华
关键词：铟镓砷应变超晶格
有机/聚合物发光器件
刘式墉陈伯军侯晶莹李传南王悦
课题目的在于研究有机分子力外延的生长机理及生长条件，寻找合适的材料体系，优化设计有机电发光器件的结构，提高器件的发光亮度，并对器件寿命做初步的研究。课题的原理为有机/聚合物的电致发光。具体技术指标为，有机/聚合物蓝光器件...
关键词：
关键词：发光
LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管被引量：1
1995年
采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。
刘宝林黄美纯陈朝陈丽容陈龙海杨树人陈伯军王本忠范爱英李正庭刘式墉
关键词：半导体器件半导体工艺光电二极管
LP─MOCVD生长InGaAs／GaAs应变超晶格
1994年
ＬＰ─ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格崔敬忠，陈光华，张仿清，甘润今（兰州大学物理学系，兰州，７３００００）杨树人，刘宝林，陈伯军，刘式墉（国家集成光电子联合实验室吉林大学实验区，长春，１３００２３）自从Ｌ．Ｅｓａｋｉ和Ｒ．Ｔｓｕ提出超...
崔敬忠陈光华张仿清甘润今杨树人刘宝林陈伯军刘式墉
关键词：超晶格
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