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张克宏

作品数：2 被引量：6H指数：2
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
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合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇晶须
  • 2篇SI
  • 1篇生长温度
  • 1篇体缺陷
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体缺陷

机构

  • 2篇清华大学

作者

  • 2篇吴华武
  • 2篇尉京志
  • 2篇徐功骅
  • 2篇来月英
  • 2篇张克宏
  • 1篇刘艳生

传媒

  • 2篇复合材料学报

年份

  • 2篇1996
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
α－Si_3N_4晶须、晶柱与生长温度关系的研究被引量：3
1996年
本文采用无定形氮化硅超细粉制备α－Ｓｉ_３Ｎ_４晶须和晶柱，并对生长温度对晶须中的缺陷的影响进行了研究。结果表明：晶须生长时能否得到完整的晶体，与其生长温度有关，只有某一温度范围（１４３０℃±３０℃）生长时，才能得到比较完整的晶体，晶须的生长温度太高或太低均会引起晶体生长的不完整性，晶须中会出现大量的缺陷，温度继续升高时，在晶须中又出现了晶粒，继而生长成晶柱。
徐功骅来月英刘艳生尉京志吴华武张克宏
关键词：晶须氮化硅生长温度
α－Si_3N_4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究被引量：3
1996年
本文研究了用无定形氮化硅超细粉原位生长α－Ｓｉ３Ｎ４晶须，晶须生长温度为１４００～１４５０℃，恒温１～４ｈ。讨论了在晶须生长过程中，不同的保护气氛对晶须质量的影响。当晶须在高纯Ｎ２气氛中生长时，得到的晶须中氮含量为３２％～３４％，氧含量为８％～６％，氯含量为０．１％左右。这类晶须中存在着大量的缺陷。当晶须在ＮＨ３气氛中生长时，得到的晶须中氮含量为３９％左右，氧含量为１％，氯含量为０．０１％，在这类晶须的透射电镜照片中几乎看不到缺陷。
吴华武徐功骅尉京志来月英张克宏
关键词：晶须氮化硅晶体缺陷
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