王凯
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 热蒸发法制备的球棒状氧化锌晶体的形貌及生长过程被引量：1
- 2016年
- 在不用催化剂的条件下，通过热蒸发锌粉的方法，一种新颗的球棒状的氧化锌纳米结构被沉积在硅基片上．每一根球棒状的氧化锌纳米棒（“纳米球棒”）由三部分构成，分别是六边形“球棒头”、“球棒把手”以及一个连接过渡的部分．高分辨率透射电镜和选区电子衍射结果表明，纳米棒呈单晶特性，沿着[0001]方向择优生长．根据对实验结果的分析，纳米球棒的生长过程可以利用气一固生长机制进行解释，合理地提出其生长模型．
- 高品王凯黄超孟路徐法强
- 关键词：氧化锌热蒸发
- 强磁场对酞菁铁薄膜分子取向及形貌的影响
- 2016年
- 有机半导体器件的性能在很大程度上受有机分子取向和堆积方式的影响,研究调控有机分子取向的方法对优化器件性能有重要意义.在强磁场(8.5 T)下使用有机分子束沉积方法在Si(111)衬底上制备了酞菁铁薄膜,应用X射线衍射,角分辨近边X射线吸收精细结构、偏振激光拉曼光谱,原子力显微镜等技术研究了磁场对酞菁铁薄膜的分子取向和形貌的影响.结果表明,酞菁铁分子相对于衬底呈侧立构型并形成α相的薄膜.在强磁场作用下,分子平面与衬底的夹角由63.6°增大为67.1°,形成薄膜的结晶度明显提高,晶粒更加均匀,在衬底上的分布更加有序.
- 黄超刘凌云方军张文华王凯高品徐法强
- 关键词：有机半导体分子取向
- VO2薄膜表面氧缺陷的修复:F4TCNQ分子吸附反应
- 2016年
- VO_2表面氧缺陷的存在对VO_2材料具有显著的电子掺杂效应,极大地影响材料的本征电子结构和相变性质.通过2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰二甲基对苯醌(F_4TCNQ)分子表面吸附反应,可以有效消除表面氧缺陷及其电子掺杂效应.利用同步辐射光电子能谱和X射线吸收谱原位研究了修复过程中电子结构的变化以及界面的化学反应,发现这种方式使得VO_2薄膜样品氩刻后得到的V^(3+)失去电子成功地被氧化成原先的V^(4+),同时F_4TCNQ分子吸附引起电子由衬底向分子层转移,界面形成带负电荷的分子离子物种.受电化学性质的制约,(F_4TCNQ)分子吸附反应修复氧缺陷较氧气氛退火更安全有效,不会引起表面过度氧化形成V_2O_5.
- 王凯张文华刘凌云徐法强
- 关键词：二氧化钒薄膜氧缺陷
