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张少强

作品数：21 被引量：33H指数：3
供职机构：华中理工大学电子科学与技术系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信机械工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇中文期刊文章

领域

  • 20篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 9篇非晶硅
  • 7篇晶体管
  • 7篇薄膜晶体
  • 7篇薄膜晶体管
  • 6篇有源矩阵
  • 5篇液晶
  • 5篇液晶显示
  • 5篇液晶显示器
  • 5篇显示器
  • 5篇非晶
  • 5篇半导体
  • 5篇TFT
  • 5篇TFT有源矩...
  • 5篇A-SI:H
  • 4篇PECVD
  • 3篇导体
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇非晶半导体
  • 3篇A-SI
  • 2篇电路

机构

  • 21篇华中理工大学

作者

  • 21篇张少强
  • 20篇徐重阳
  • 17篇邹雪城
  • 14篇王长安
  • 10篇赵伯芳
  • 9篇周雪梅
  • 6篇丁晖
  • 5篇符晖
  • 3篇万新恒
  • 3篇戴永兵
  • 3篇李兴教
  • 2篇冯汉华
  • 1篇熊智斌
  • 1篇曾祥斌
  • 1篇李楚容
  • 1篇陈斌

传媒

  • 6篇光电子技术
  • 2篇电子学报
  • 2篇微电子学
  • 2篇半导体光电
  • 2篇压电与声光
  • 2篇液晶通讯
  • 1篇半导体技术
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇华中理工大学...

年份

  • 1篇1999
  • 2篇1998
  • 5篇1997
  • 6篇1996
  • 6篇1995
  • 1篇1993
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
16元非晶硅荧光探测器的结构和工艺被引量：1
1995年
研究一种新型的非晶硅ＰＩＮ异质结荧光探测器的结构和制备工艺，详细讨论了探测器单元的结构优化设计和暗电流和灵敏度等特性。实验表明，采用α－ＳｉＣ／α－Ｓｉ异质结构，提高淀积非晶硅基薄膜的本底真空度，优化制备工艺，可制备高信噪比的非晶硅荧光探测器。
王长安徐重阳周雪梅张少强赵伯芳邹雪城
关键词：非晶半导体异质结PIN光电二极管
a-Si:H TFT自对准工艺的研究
1995年
实验研究了自对准结构的a－Si：HTFT的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的a－Si：HTFT。对影响自对准结构a－Si：HTFT特性的主要因素进行了详细的分析，提出了一种新颖的双有源层结构的a-Si：HTFT，可以有效地改善a－Si：HTFT的开态特性，其通断电流比比ION／IOFF＞105。
张少强徐重阳赵伯芳邹雪城符晖袁奇燕周雪梅王长安
关键词：非晶硅薄膜晶体管液晶显示器
α—Si TFT矩阵等离子体刻蚀技术的研究被引量：3
1993年
本文介绍了α-Si TFT有源矩阵的CF_4等离子体刻蚀技术。分析了CF_4等离子体刻蚀α-Si:H和α-SiN_x的机理,对α-Si TFT的有源层与绝缘层之间刻蚀选择性和均匀性进行了研究,讨论了等离子体刻蚀速率与射频功率、反应室压力及衬底温度的依赖关系。根据实验结果总结了CF_4等离子体刻蚀速率随射频功率、反应室压力和衬底温度的增加而增大的规律,通过控制合适的工艺条件,成功地实现了选择性刻蚀并改善了刻蚀的均匀性。
赵伯芳张少强章青王长安
关键词：等离子体刻蚀半导体集成电路有源矩阵
氢化非晶硅激光诱导结晶膜微结构的椭偏谱分析被引量：1
1998年
用XeCl准分子激光器对氢化非晶硅（a－Si：H）薄膜进行了诱导晶化处理。测量了结晶膜的椭偏谱。利用多层膜模型与Bruggeman有效介质近似（B－EMA）分析了结晶膜的微结构特性。研究表明：低能量密度辐照形成的结晶层需用含有a－Si：H的EMA混合物表征，说明其结晶度相对较低；而高能量密度辐照形成的结晶层，因其结晶度较高，可用不含a－Si：H的EMA混合物表征．在结晶膜与衬底之间形成了互混层，其厚度随能量密度增大而增大。当能量密度较高时，结晶层会与互混层剥离．采用椭偏谱数据拟合得到Si浓度的深度剖面分布后，可据此重构结晶膜的三维表面形貌图．
戴永兵徐重阳李楚容王长安张少强安承武丁晖李兴教
关键词：氢化非晶硅硅薄膜
7.5cm 372×276象素a-Si TFT有源矩阵的优化设计及制作工艺研究被引量：3
1995年
研究了7.5cm372×276象素a－SiTFT有源矩阵的优化设计理论，讨论了材料物理参数和器件结构参数时器件性能的影响，并对其制作工艺进行了系统研究。
徐重阳符晖邹雪城张少强袁奇燕周雪梅赵伯芳王长安
关键词：液晶显示器有源矩阵优化设计
a-SiN_x:H薄膜对a-Si:H TFT阈值电压的影响被引量：7
1997年
介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明：a－Si:HTFT的阈值电压随a－SiNx：H的膜厚增加而增大；增大X－SiNx：H薄膜淀积时NH3／SiH4气体流速比，可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。
王长安熊智斌张少强赵伯芳徐重阳
关键词：阈值电压氢化非晶硅薄膜晶体管
TFT有源矩阵α－Si∶H薄膜PECVD淀积工艺研究被引量：2
1996年
分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数。
丁晖徐重阳邹雪城张少强戴永兵袁奇燕万新恒
关键词：PECVD有源矩阵薄膜晶体管液晶显示器
IC表面钝化PECVD工艺的计算机模拟被引量：1
1998年
本文介绍了一种新的工艺研究途径──神经网络反向传播算法（BP算法），并对其网络学习收敛速度的加快进行了讨论，取得了较好的效果；利用改进的神经网络BP算法，我们通过建立IC表面钝化工艺的神经网络模型，对IC表面钝化工艺进行了计算机模拟，精确地预报了实验结果并得到了相关工艺条件与钝化介质膜特性的关系曲线．所编写的神经网络应用程序已用C语言在计算机上得到了实现．
徐重阳丁晖王邹雪城张少强冯汉华
关键词：PECVD计算机集成制造
基于神经网络BP算法PECVDSi_3N_4钝化工艺的模拟被引量：1
1997年
由于ＩＣ制造过程的高度复杂非线性，利用传统的方法进行工艺分析难以获得满意的结果，现描述一种新的途径——神经网络反向传播算法（ＢＰ算法），并介绍了神经网络ＢＰ算法在ＰＥＣＶＤＳｉ３Ｎ４钝化工艺中的应用。通过建立ＰＥＣＶＤ淀积工艺的神经网络模型，对ＰＥＣＶＤＳｉ３Ｎ４钝化工艺进行了计算机模拟，讨论了相关工艺条件对Ｓｉ３Ｎ４介质膜特性的影响。
徐重阳丁晖邹雪城张少强冯汉华戴永兵袁奇燕万新恒
关键词：神经网络BP算法PECVD钝化工艺集成电路
采用非晶硅集成型色敏元件的颜色识别装置的研究被引量：1
1996年
采用非晶硅集成型色敏元件的颜色识别装置的研究王长安，周雪梅，徐重阳，张少强（华中理工大学固电系）０引言机器人的研究开发，彩色显示的色调整，印染、造纸、油漆等行业的测色、配色均要求研究结构简单、操作方便、能精确识别物体颜色的色敏元件和颜色识别装置。非晶...
王长安周雪梅徐重阳张少强
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