韩志勇
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 硅中与钼有关能级的研究被引量：2
- 1992年
- 利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,并通过电子辐照、等时热退火等物理过程,鉴别了Si中与钼有关能级的本质.钼在Si中产生两个主要能级E(0.53)和H(0.36),前者为受主态,后者为施主态,这两个能级都与替位Mo原子有关.
- 周洁卢励吾韩志勇吴汲安
- 关键词：硅钼能级电子辐照
- GaAs中4d过渡杂质Mo与Pd的光电行为
- 1993年
- 4d过渡杂质Mo、Pd在GaAs中分别引入E(0.42eV)、H(0.61eV)和E(0.66eV)、H(0.69eV)等能级。根据过渡杂质Mo和Pd在GaAs中的光电行为,推测这些杂质在GaAs中不起有效复合中心的作用。
- 周洁马红卢励吾韩志勇
- 关键词：砷化镓钼铅
- 分子束外延生长GaAs/Si异质结电学特性的研究
- 1991年
- 利用样品Au-GaAs/p-Si的肖特基势垒二极管特性和深能级瞬态谱(DCTS),研究Si衬底上分子束外延生长的GaAs异质结的电学特性。I-V特性表明样品有大的漏电流存在,而快速热退火处理则能使样品I-V特性得以改善,并接近半绝缘GaAs(S.I.GaAs)上生长的Au-GaAs/S.I.GaAs样品的特性,它的来源不是热电子发射或产生-复合电流所引起,而可归结于缺陷参与的隧穿机制,它可通过快速热退火处理得以减小。DCTS谱表明在样品中可观察到Ec-0.41eV和Ec-0.57eV两个电子陷阱,前者可能是GaAs/Si界面附近处的缺陷态,后者则与分子束外延生长的GaAs中的固有缺陷M,有关。
- 周洁卢励吾韩志勇梁基本
- 关键词：MBEGAASSI异质结电学特性
