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王学军

作品数：2 被引量：11H指数：1
供职机构：华东师范大学理工学院物理学系更多>>
相关领域：机械工程化学工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇金刚石薄膜
  • 1篇选择性
  • 1篇掩蔽层
  • 1篇氧化硅
  • 1篇热解
  • 1篇摩擦学
  • 1篇摩擦学性能
  • 1篇金刚石
  • 1篇类金刚石
  • 1篇类金刚石薄膜
  • 1篇刚石
  • 1篇碳
  • 1篇苯

机构

  • 2篇华东师范大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇郑志豪
  • 2篇孙卓
  • 2篇王学军
  • 1篇阎逢元
  • 1篇陈景升
  • 1篇何奕骅
  • 1篇范焕章
  • 1篇许春芳
  • 1篇朱建中

传媒

  • 1篇华东师范大学...
  • 1篇摩擦学学报（...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1995
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
用TEOSPECVD氧化硅做掩蔽层选择性生长金刚石薄膜
1995年
本文研究了在ＨＦ—ＣＶＤ法中，衬底温度Ｔｓ对ＰＥＴＥＯＳ（等离子体增强正硅酸乙酯）氧化硅—硅衬底上选择性生长金刚石薄膜的影响。结果表明：Ｔｓ变化影响ＰＥＴＥＯＳ氧化硅掩蔽层区域和硅表面金刚石晶粒成核密度。Ｔｓ较低时（７５０—８２０℃），ＰＥＴＥＯＳ氧化硅区域成核密度远小于裸露硅表面；随Ｔｓ升高（＞８２０℃），氧化硅区域成核密度增加很快；当Ｔｓ＞８５０℃时，氧化硅区域成核密度超过硅表面。
何奕骅许春芳范焕章孙卓王学军郑志豪朱建中杨申仲
关键词：金刚石选择性掩蔽层
聚合物热解合成类金刚石薄膜的结构及摩擦学性能研究被引量：11
1998年
合成了一种新型的碳基阶梯聚合物——聚碳苯ＣＣｎ，将其涂于氮化硅陶瓷上，在常压、惰性气氛条件下经１０００～１２００℃热处理，在氮化硅底材上合成出类金刚石薄膜．利用扫描电子显微镜、喇曼光谱和Ｘ射线衍射等技术对类金刚石薄膜的表面形貌和结构进行了分析，并且对其摩擦学性能进行了考察．结果表明：类金刚石薄膜是由金刚石、石墨碳等相组成，具有较高的硬度、较低的摩擦系数和良好的耐磨损性能．
陈景升王学军王学军孙卓郑志豪
关键词：热解类金刚石薄膜摩擦学性能
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