李志锋
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 非晶氮化硅分束－聚焦集成二元位相型光学元件
- 1994年
- 报道了自行设计的将二维Ｄａｍｍａｎｎ光栅和Ｆｒｅｓｎｅｌ波带板集成为一体的同时具有分束和聚焦功能的二元位相型光分束器，并用等离子体增强化学汽相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制备的非晶氨化硅（ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜制作了这样的元件，成功地实现了设计的功能，分束阵列为３×３，焦距１８ｃｍ，分束后的光强分布相对误差小于５％．
- 李志锋黄信凡高文琦周进顾晓峰陈坤基
- 关键词：光分束器
- 准分子脉冲激光制备发光硅晶粒的新途径
- 1996年
- 半导体硅是制备集成电路芯片和晶体管的重要材料,用硅制成的特种器件可用于检测光信息,由于其间接带隙的能带结构及禁带宽度仅1.12eV,因而本身无法由电致(EL)和光致(PL)发射高效率的可见光,使其在光电子器件领域的应用受到了限制.探索硅基材料的可见发光是材料科学领域中的重大研究课题.目前已有多种实现这一效应的方法,如电化学腐蚀的多孔硅和微波等离子体淀积的超细硅粉等,但是实际器件运用中所需材料必须具有良好的表面性质和均匀的内部结构.我们曾用Ar离子激光晶化技术使:a-Si:H/a-SiN_x:H多量子阱(MQW)结构中:a-Si:H阱层晶化成纳米晶粒,观察到室温可见光致发光现象,该方法可以人工设计并有效控制晶粒尺寸且材料内部结构均匀.本文将报道KrF准分子脉冲激光辐照a-Si薄膜制备室温呈现可见PL特性的硅晶粒的新方法,所用激光具有曝光面积大、能量高、作用时间短等特性,其晶化的均匀程度和效率均优于Ar离子激光,并且是一种“低温”、“干法”晶化过程,对衬底影响较小,从而有利于提高晶化样品性能,形成均匀的纳米晶粒,以期研究获得可见发光材料的新途径.
- 吴巍黄信凡李志锋陈坤基陈晓原刘治国
- 关键词：准分子激光纳米晶粒晶化硅
- GaN1-xPx三元合金的红外反射光谱研究
- GaNP三元合金具有较大的带隙能量弯曲系数(bandgap bowing parameter),可实现从紫外波段到红外波段的发光器件,是一种极具应用前景的光电子材料,近年来已成为国际上Ⅲ族氮化物领域的研究热点。利用红外反...
- 王金斌李志锋陆卫陈敦军沈波
- 文献传递
- 具有分束和聚焦功能的氮化硅二元位相型光学元件
- 1994年
- 报道了自行设计的将二维Ｄａｍｍａｎｎ光栅和Ｆｒｅｓｎｅｌ波带板集成为一体的同时具有分束和聚焦功能的二元位相型光分束器，并用等离子体增强化学气相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制备的非晶氨化硅（α－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜制作了这样的元件，成功地实现了设计的功能，分束阵列为３×３，焦距为１８ｃｍ，分束后的光强分布相对误差小于５％。
- 黄信凡李志锋高文琦周进顾晓峰陈坤基
- 关键词：光学元件氮化硅光栅
- 用于空间光调制器光敏层的a—Si：H pin二极管的研制
- 1995年
- 报道了用于光寻址快速空间光调制器光敏层的氢化非晶硅ｐｉｎ光敏二极管的设计、制备及光电特性的研究，制得了符合光敏层要求的ｐｉｎ二极管。
- 顾晓峰黄信凡杜家方李志锋陈坤基
- 关键词：半导体薄膜薄膜二极管空间光调制器
- 氢化非晶硅光电导研究中的新现象
- 1995年
- 研究了衬底温度（Ｔｓ）从室温至６２３Ｋ生长的氢化非晶硅（ａ—Ｓｉ：Ｈ）的光电导的温度依赖关系，首次发现了出现光电导的热淬灭（ＴＱ）的温度区随ａ—Ｓｉ：Ｈ的Ｔｓ的降低系统地移向较低温度区．分析了ａ—Ｓｉ：Ｈ中这种新现象与费米能级位置以及能隙中缺陷态密度分布的关系．
- 施伟华陈坤基杜家方李志锋
- 关键词：氢化非晶硅非晶态半导体
