彭应国
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学电子电信更多>>
- 用高分辨透射电镜对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构的研究
- 1994年
- 本文利用高分辨电子显微镜(TEM)从原子尺度对MOCVD生长的ZnSe_(1-x)S_x-Znse应变超晶格的精细结构进行了细致观察.通过对缺陷的种类、分布的分析提出缺陷的产生原因与过渡层质量有直接关系,通过改善过渡层的成份及各层间的厚度可制备出结构较完整以及较平整的超晶格薄层材料.
- 宋士惠关郑平范广涵范希武彭应国吴玉琨
- 关键词：超晶格汽相外延生长
- Ⅱ-Ⅵ族ZnSe/ZnS半导体超晶格的高分辨电镜研究
- 彭应国
- Al超微粒子的组织结构及表面状态被引量：2
- 1992年
- 本工作采用惰性气体蒸发法制备Al超微粒子,采用高分辨透射电子显微镜,X射线衍射和X光电子谱等多种分析技术,详细研究了Al超微粒子的结晶形态、晶体结构、表面状态和组成,结果指出,在高纯惰性气氛中制备的Al超微粒子具有明显的结晶形态,大部分粒子为一单晶体,晶体结构为fcc,α_0=0.405nm,结果还发现,Al超微粒子表面存在一层非晶Al_2O_3,平均厚约2nm,对粒子本身具有很好的保护作用,因此,用惰性气体蒸发法制备的Al超微粒子在空气中是相当稳定的。
- 孙秀魁陈文绣徐坚范学书魏文铎吴玉琨彭应国
