刘石
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
- 供职机构：吉林大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 氧化锌薄膜的缺陷发光和它作为白光光源的潜在应用（英文）被引量：3
- 2016年
- ZnO发光二极管（LEDs）在照明应用方面有着巨大的潜力。需要解决的主要问题是光的产生和对辐射的控制,这个问题来自LED波长的变化和组合。发现缺陷发光的ZnO有着各种波长范围,适合LED在白光产生方面的应用。同时展示了在实验和理论上可以用于ZnO系统的缺陷辐射。这种类型的缺陷相较于传统的掺杂材料和其他材料,其优点在于不需要广泛和昂贵的生产系统。不仅提出了ZnO薄膜在白色平面LED光源本征缺陷发光的潜在应用,同时也利用一些方法一个特定的中心位置和ZnO薄膜在初期发射谱带的宽分布来控制缺陷的产生。根据不同的制备方法和特定的实验条件,不同的白色,如稍白色和青白色等原本的和重要的颜色-蓝光波段（455,458nm）,绿光波段（517,548nm）,红光波段（613,569nm）分别被获得。从而说明了这是一种制作白光LED更好的办法-利用ZnO材料。在对ZnO薄膜电学性质的调查研究中,通过薄膜表面的额电子插入和正离子的湮灭已经证明了的观点,随着质子的植入、正离子的湮没、电子的插入和ZnO表面的电学性质的研究,表述结果被进一步的证实。研究人员对单晶ZnO的已经有了一定的研究,PL质子植入ZnO以后呈现橘红色,并且在700℃退火后仍然存在,清楚的可以看出PL缺陷的存在。在植入粒子方面最近的文章也有报道,例如在ZnO缺陷表层中注入离子和电子来改变PL性能。VZn也发现了氧化锌薄膜的主要缺陷之一是正电子湮没,同样的,Vlasenko和Watkins也发现了氧化锌表面由于电子辐射产生的缺陷。导致绿色透光率的减少,增加PL致600~700nm。之后分析和解释ZnO薄膜电阻率的缺陷。由霍尔系数的迹象表明ZnO表现为N型传导,这样做的原因是因为把VO和Zn原子联系在一起,使Zn具有较低的电阻率。试验中氧气退货可以增加ZnO的电阻率,其电阻率的增加是由于VO的减少。另外,在20
- 刘石陈永健崔海宁孙胜男王子涵王海水
- 关键词：白光LED
- 硫酸氢铵高压下相变研究被引量：2
- 2017年
- 由于铁电材料在科学研究领域的重要应用,功能铁电材料的设计和机理研究一直是国内外的研究热点。材料的性能离不开结构研究,为了更好的认识和理解一种典型铁电材料-硫酸氢铵的结构和相行为,研究了17GPa压强下硫酸氢铵的高压拉曼光谱。在压力作用下,绝大多数的拉曼谱线向高波数方向移动,并且有两个特征拉曼谱带的强度发生很大的变化(1 018和3 183cm^(-1)),表明硫酸盐与铵离子正四面体的电子云密度发生重构。根据频移-压强曲线关系,得出了硫酸氢铵在6和10.5GPa附近分别存在一阶相变。根据高压下S=O伸缩振动谱带的变化规律,发现了不同相区间氢键的相反作用规律。为AHSO_4系列铁电材料压力作用下结构变化规律提供一定的研究基础。
- 刘石崔海宁周密
- 关键词：拉曼硫酸氢铵
