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陈翔宇

作品数：7 被引量：8H指数：2
供职机构：郑州大学化工与能源学院更多>>
发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金河南省科技攻关计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇感器
  • 7篇传感
  • 7篇传感器
  • 6篇气体传感
  • 6篇气体传感器
  • 4篇SNO
  • 2篇自补偿
  • 2篇抗温
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体气体传...
  • 2篇SNO2
  • 2篇SUB
  • 1篇电子技术
  • 1篇选择性
  • 1篇压电
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇氧化法
  • 1篇氧化锡
  • 1篇氧化铟
  • 1篇速度传感器

机构

  • 7篇郑州大学
  • 1篇河南汉威电子...

作者

  • 7篇陈翔宇
  • 6篇詹自力
  • 3篇郭雪原
  • 3篇李亚丰
  • 2篇李亚丰
  • 1篇陈志强

传媒

  • 1篇化工新型材料
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇郑州大学学报...

年份

  • 3篇2017
  • 4篇2016
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
具有环境温、湿度自补偿能力的SnO<Sub>2</Sub>基热线型半导体气体传感器
本发明属于气体传感器技术领域，具体公开一种具有环境温、湿度自补偿能力的SnO<Sub>2</Sub>基热线型半导体气体传感器。该气体传感器包括敏感元件和补偿元件，其特别之处在于：敏感元件的敏感材料为添加贵金属和掺杂Sb或...
詹自力陈翔宇彭溦陈克城郭雪原李亚丰
利用Sb掺杂提高SnO_2基热线型气体传感器响应值被引量：1
2017年
以SnCl_4·5H_2O和SbCl_3为前驱体,采用共沉淀法制备了Sb掺杂SnO_2纳米复合材料(ATO),并用X射线和扫描电镜对粉末进行了表征。考察了Sb掺杂对SnO_2基热线型气体传感器的气敏性能影响,并分析了气敏机理。结果显示:6%Sb掺杂的ATO材料粒径减小至3.5nm,Sb的掺杂抑制了SnO_2材料晶粒的生长;Sb掺杂能有效提高SnO_2基热线型气体传感器响应值,6%Sb掺杂使SnO_2基传感器对0.1%H_2的最佳响应值从115mV提高到了435mV;工作电压为3.5V时,响应和恢复时间分别小于10和30s。机理分析表明:Sb掺杂降低了SnO_2气敏材料的电阻,从而提高了SnO_2基传感器的响应值。
陈翔宇陈克城詹自力李亚丰
关键词：ATO气体传感器
PSN-PZT陶瓷及其在加速度传感器中的应用研究被引量：2
2016年
利用传统固相烧结法制备了0.02Pb(Sb_(0.5)Nb_(0.5))O_3-0.98Pb_(1-2 x)Ba_xSr_x(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3压电陶瓷(其中x=0.02,0.03,0.04,0.05).讨论了不同Ba、Sr复合掺杂量及烧结温度对陶瓷结构和电性能的影响.结果显示,当x=0.04,烧结温度为1 260℃时,压电陶瓷的性能最佳,其中d_(33)=615 p C/N,ε_(33)/ε_0=2 224,tanδ=2.11%;然后把这个配方的陶瓷片安装到传感器中,测试其电荷灵敏度、最大横向灵敏度比和最大线性误差,电荷灵敏度为2.72 p C/(m·s^(-2)),最大横向灵敏度比小于5%,最大线性误差为2.97%,符合通用振动测试类型传感器使用要求.
詹自力李亚丰陈翔宇陈克城
关键词：加速度传感器压电陶瓷
高选择性的In_2O_3基热线型氢气传感器被引量：5
2016年
采用反相微乳液法合成出纳米氧化铟(In_2O_3),利用其制备出了热线型气体传感器。利用二甲基二乙氧基硅烷(DEMS)的化学气相沉积,在敏感元件表面形成了一层致密的二氧化硅(SiO_2)分子筛层,限制了除氢气(H_2)以外其它分子直径较大的还原性气体向气敏材料内层的扩散,提高了该传感器对H_2的选择性和响应。参考元件的补偿作用降低了环境湿度的影响,通过气敏机理模型讨论了其内在原因。该传感器具有对H_2较高的选择性和响应,优良的抗环境影响能力,以及较好的稳定性和较低的功耗。
郭雪原詹青燃金贵新李亚丰陈翔宇詹自力
关键词：氧化铟选择性氢气
Si掺杂SnO_2基气体传感器抗湿性能研究
2017年
研究了以Si掺杂Sn O_2作为热线型气体传感器补偿元件材料来提高Sn O_2基气体传感器抗湿度干扰能力。采用共沉淀法制备Si掺杂Sn O_2作为补偿元件材料,Sb掺杂Sn O_2作为敏感元件材料,并对所制备材料进行表征。考察了Sb掺杂量对传感器响应值影响和Si掺杂Sn O_2对抗湿性能影响,同时讨论了抗湿性能机理。结果表明,敏感元件材料中摩尔比Sb/Sn为6%使Sn O_2基传感器对体积分数1000×10^(-6) H2灵敏度由108 m V提高至435 m V,补偿元件材料摩尔比Si/Sn为0.7%使湿度引起的响应值相对误差降至8.8%。
陈克城詹自力陈翔宇闫贺艳陈志强
关键词：电子技术SNO2H2
具有环境温、湿度自补偿能力的SnO<Sub>2</Sub>基热线型半导体气体传感器
本发明属于气体传感器技术领域，具体公开一种具有环境温、湿度自补偿能力的SnO<Sub>2</Sub>基热线型半导体气体传感器。该气体传感器包括敏感元件和补偿元件，其特别之处在于：敏感元件的敏感材料为添加贵金属和掺杂Sb或...
詹自力陈翔宇彭溦陈克城郭雪原李亚丰
文献传递
SnO2基热线型气体传感器抗湿性能研究
随着人们生活水平的提高，人们对传感器提出了响应更精准、性能更优良等更高的要求。由于气体传感器长期暴露在大气环境中，环境湿度的变化对其产生较大影响，而如何提高气体传感器的抗湿度干扰能力一直以来是该研究领域的难题之一。本文利...
陈翔宇
关键词：二氧化锡复合材料硝酸氧化法化学共沉淀法
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