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近红外区高透过率ITO/AZO薄膜的制备和性能研究: 应用广泛的透明导电氧化物薄膜ITO和AZO一直备受人们的关注，虽然ITO薄膜电学性能优异，但是在近红外区透过率较低，限制了其在红外技术中的应用;AZO薄膜在近红外区透过率很高，但电学性能和ITO相比相差较大。为了得到近红...; 赵继凤; 关键词：导电薄膜磁控溅射光电性能; 文献传递

柔性探测器的发展趋势和应用前景: 2020年; 近几年,随着易折叠、可携带、耐弯折等概念越来越多被提及,人们对柔性探测器的研究也越来越深入。在探测器领域中,刚性探测器的性能会因拉伸而大幅度下降,这就催生了柔性探测器的产生。柔性探测器就是指在器件原有尺寸下发生一定程度的形状变化对其性能的影响不大,器件可以正常工作的探测器。文章综述了柔性探测器这一领域的研究现状,介绍了光电探测器的基本原理和几个重要指标,并分别介绍了石墨烯/C60探测器、柔性非晶Ga2O3紫外探测器和ZnO基柔性紫外探测器的制备和性能分析。; 王昆仑赵继凤王婉霞王成功尤瑞松孙珲; 关键词：探测器碳材料氧化镓氧化锌

氮掺铟锡锌薄膜晶体管的制备及其光电特性被引量：1: 2017年; 以P型<100>硅作为衬底,采用射频磁控溅射技术,在室温下制备了氮掺杂氧化铟锡锌薄膜晶体管(ITZO TFTs),研究了氮气流量对氧化铟锡锌薄膜晶体管结构、光学、电学特性以及稳定性的影响。实验结果表明:在不同氮气流量条件下制备的氧化铟锡锌薄膜均为非晶态,在可见光范围内的平均透过率均在90%左右,光学带隙数值在3.28~3.32 e V之间变化。在氮气流量为4 m L/min时制备的ITZO TFTs,有源层与栅极电介质界面处的界面态密度(N^(max)_s)仅为4.3×10^(11)cm^(-2),场效应迁移率(μ_(FE))为18.72 cm^2/(V·s),开关比(I_(on/off))为10~6,亚阈值摆幅(S)为0.39 V/dec,电学性能最优。栅极正偏压应力测试结果表明,该器件具有最强的稳定性。因此,适量的氮掺杂可有效地实现器件氧空位的钝化,降低器件的界面态密度,提高ITZO TFTs的电学性能及稳定性。; 李治玥吕英波赵继凤宋淑梅杨波波辛艳青王昆仑杨田林; 关键词：射频磁控溅射界面态密度

Cr基及其化合物过渡层对TiCN涂层性能的影响被引量：6: 2017年; 为研究过渡层材料及结构对TiCN涂层性能的影响,设计3种Cr基及其化合物过渡层,利用多弧离子镀技术制备TiCN涂层。膜系分别为Cr/TiCN、Cr/CrN/TiCN和Cr/CrN/CrCN/TiCN。利用SEM、XRD、纳米压痕仪、划痕仪、摩擦磨损试验机和球磨仪对涂层的微观结构和性能进行表征。结果表明:随着过渡层由单层Cr依次加入CrN和CrCN,涂层原有的柱状晶生长被抑制并最终消除。与具有Ti过渡层的TiCN相比,涂层不再具有明显择优取向,(111)峰强度大大减弱而(200)峰发生宽化。具有CrN和CrCN过渡层的样品硬度和附着力明显高于以单层Cr为过渡层的样品,Cr/CrN/CrCN/TiCN膜系硬度和附着力最高,分别为(30.11±0.34)GPa和(37.21±0.46)N。摩擦磨损试验结果表明:CrCN过渡层的引入显著提升了涂层耐磨性,其对应样品摩擦因数最低,达到0.111,并在球磨测试中表现稳定,而其它膜系均出现不同程度的磨损形貌。; 李方正王昆仑赵继凤郑小燕辛艳青杨田林; 关键词：过渡层附着力耐磨性

溅射气压对铟锡锌氧化物薄膜晶体管性能的影响被引量：4: 2016年; 利用射频磁控溅射技术,在不同溅射气压下制备了铟锡锌氧化物薄膜晶体管(ITZO TFT),分析了ITZO TFT电学性能随气压的变化规律。研究结果表明:非晶ITZO TFT的工作模式均为耗尽型;随着气压的增大,亚阈值摆幅及阈值电压先减小后增大、场效应迁移率逐渐减小,这是由载流子浓度和界面缺陷密度两方面因素共同决定的。溅射气压为0.4 Pa时,ITZO TFT综合性能最好,场效应迁移率高达24.32 cm^2/V·s,亚阈值摆幅为1.10 V/decade,电流开关比达到10~6。此外,ITZO有源层在可见光范围内的平均透过率超过80%,光学带隙值在3.2~3.4 eV之间,随气压的升高先减小后增大。; 刘媛媛赵继凤李延辉宋淑梅辛艳青杨田林; 关键词：溅射气压磁控溅射光学带隙

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赵继凤