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一种铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铅铁电单晶材料: 本发明公开了一种铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铅铁电单晶材料，该材料化学式为xPb(Sc1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3...; 惠增哲龙伟李晓娟方频阳赵金; 文献传递

PSN-PMN-PT-PZ四元弛豫铁电晶体的制备和表征: 根据PSN-PMN-PT和PMN-PT-PZ两个赝三元体系的准同型相界组分和线性组合规律,设计五个位于准同型相界组分的PSN-PMN-PT-PZ赝四元体系。采用高温溶液法制备五个组分的xPSN-yPMN-zPT-hPZ四...; 赵金; 关键词：铁电单晶晶体生长铁电陶瓷性能表征; 文献传递

Pb(Sc_(1/2)Nb_(1/2))O_3-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3陶瓷的介电、压电性能研究: 2016年; 为研究不同含量PbZrO_3（PZ）对Pb（Sc_（1/2）Nb_（1/2））O_3-Pb（Mg_（1/3）Nb_（2/3））O_3-PbTiO_3-PbZrO_3（PSN-PMN-PT-PZ）四元弛豫铁电陶瓷的影响,文中通过两步前躯体法制备位于准同型相界中的xPSN-yPMN-zPT-hPZ（x/y/z/h=6/60/33/1,5/58/34/3,5/55/35/5,5/53/35/7）四元弛豫铁电陶瓷.采用X射线衍射仪分析了所制备陶瓷的相结构,通过测定介电常数和温度之间的关系确定了陶瓷的相变温度,利用居里-外斯公式拟合了不同组分陶瓷的弥散相变特性.研究结果表明：所制备的陶瓷试样均为纯的钙钛矿结构.随着PZ含量的增加,PSNPMN-PT-PZ陶瓷居里温度Tc逐渐升高（134~160℃）,介电常数降低,相变弥散度也增强;在所有组分中,0.05PSN-0.55PMN-0.35PT-0.05PZ组分表现出良好的综合性能,其居里温度Tc为151℃,压电常数d33为325pC·N-1,机电耦合系数kp为54.34%,最大介电常数εm为7 779,介电损耗tanδ为0.02.; 赵金惠增哲李小娟龙伟方频阳; 关键词：铁电陶瓷相结构

表面接触角简易测量装置: 本发明涉及一种表面接触角简易测量装置，包括机架、样品承载台、光学系统、光学系统三维平移台、移液器和计算机；机架为直角弯板结构；样品承载台包括旋转台和样品一维平移台，旋转台一端固定机架的竖直板内壁上，另一端固定连接样品一维...; 张锦赵金王文静马富华高占权蒋世磊; 文献传递

Pb(Sc_(1/2)Nb_(1/2))O_3-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3弛豫铁电晶体的生长及表征: 2016年; 采用高温溶液法生长了准同型相界(MPB)四元弛豫铁电单晶Pb(Sc_(1/2)Nb_(1/2))O_3-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3,得到较大尺寸且具有规则外形的立方单晶。研究结果表明所生长的晶体为钙钛矿结构,立方晶粒平整的暴露面均为(001)面;晶体以层状方式生长,生长机制为搭桥生长;所生长晶体的矫顽场EC^3.52 k V/cm,三方四方相变温度Tr-t^104℃,居里温度Tc^149.5℃,压电常数d33~1089 p C/N,剩余极化强度Pr^25.4μC/cm2;随着频率增加,晶体的相变弥散度减小。; 赵金惠增哲李晓娟龙伟方频阳楚兴; 关键词：铁电单晶

一种铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅-锆酸铅铁电单晶材料: 本发明公开了一种铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅-锆酸铅铁电单晶材料，该材料化学式为xPb(Sc1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3...; 惠增哲龙伟李晓娟方频阳赵金

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赵金