您的位置： 专家智库 > >

朱亚丹

作品数：33 被引量：6H指数：2
供职机构：太原理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金山西省基础研究计划项目浙江省重点科技创新团队项目更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 29篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 22篇光电
  • 21篇光电子
  • 18篇电子器件
  • 18篇光电子器件
  • 15篇多量子阱
  • 12篇有源层
  • 11篇外延片
  • 9篇电子阻挡层
  • 9篇阻挡层
  • 8篇全内反射
  • 7篇晶体
  • 6篇光提取效率
  • 6篇GAN基LE...
  • 5篇盖层
  • 4篇劈裂
  • 4篇位错
  • 4篇量子效率
  • 4篇内量子效率
  • 4篇晶体场
  • 4篇光效

机构

  • 33篇太原理工大学
  • 1篇山西飞虹微纳...

作者

  • 33篇朱亚丹
  • 32篇许并社
  • 31篇卢太平
  • 3篇尚林
  • 2篇翟光美
  • 2篇董海亮
  • 2篇贾志刚
  • 2篇李学敏
  • 1篇余春燕
  • 1篇梁建
  • 1篇薛晋波
  • 1篇贾伟
  • 1篇马淑芳
  • 1篇李天保
  • 1篇梅伏洪
  • 1篇刘青明
  • 1篇赵晨
  • 1篇韩丹

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 11篇2018
  • 5篇2017
  • 13篇2016
共 33 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种GaN基LED外延结构及其制备方法
本发明属于光电子器件领域，具体为一种GaN基LED外延结构及其制备方法。GaN基LED外延结构包括在衬底上依次层叠的自组装GaN纳米棒、非故意掺杂的GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型GaN层、...
卢太平朱亚丹赵广洲许并社
一种提高GaN基LED内量子效率的外延方法
本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种提高GaN基LED内量子效率的外延方法，该材料结构包括在衬底上依次层叠生长低温成核层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/H<Sub>2</Sub>气体处理的低温GaN/高...
许并社朱亚丹卢太平周小润
基于3D打印制备光子晶体结构LED的方法
本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种基于3D打印制备光子晶体结构LED的方法。一种基于3D打印制备光子晶体结构LED的方法，包括以下步骤：在具有的低温成核层、非故意掺杂的GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层及P型Ga...
卢太平朱亚丹周小润许并社
一种InGaN薄膜的制备方法
一种InGaN薄膜的制备方法，属于光电子材料与器件技术领域，可解决现有外延生长高质量的InGaN薄膜中In偏析带来的表面粗糙，相分离和缺陷的问题，包括先在衬底上依次生长GaN成核层、GaN非故意掺杂缓冲层，中高温GaN层...
卢太平郑延宁朱亚丹周小润许并社
一种LED电极的制备方法
一种LED电极的制备方法，属于光电子材料与器件技术领域，可解决现有技术在降低电子泄漏的同时阻碍空穴注入的问题，通过在n型电极中引入掺杂Fe、Co、Ni、Gd等元素的氧化物导电层，利用铁磁性金属离子的自旋轨道耦合作用散射电...
卢太平郑延宁朱亚丹周小润许并社
界面处理调控InGaN/GaN多量子阱结构光学性能的研究
In GaN/GaN多量子阱结构作为有源区广泛应用于蓝绿光发光二极管（LED）、半导体激光器（LD）等光电子器件。由于缺乏天然的GaN衬底,InN与GaN的物理化学性质又存在较大差异,使得生长高质量的InGaN/GaN多...
朱亚丹
关键词：GAN多量子阱
一种DUV LED外延片结构
本发明属于光电子器件领域，具体是一种DUV LED外延片结构，包括衬底，所述衬底上表面从下至上依次为缓冲层、n‑AlGaN层、多量子阱发光层、p‑AlGaN层以及p‑GaN接触层；所述多量子阱发光层是由若干对阱层和垒层依...
卢太平朱亚丹赵广洲许并社
基于3D打印铁磁层增强LED发光效率的方法
本发明属于光电子器件领域，具体是基于3D打印铁磁层增强LED发光效率的方法，其采用MOCVD或MBE生长的具有成核层、非故意掺杂层、n型层、多周期的量子阱有源层及p型层的外延片，并刻蚀出n型层台面，3D打印欧姆接触反光镜...
卢太平朱亚丹赵广洲许并社
基于3D打印制备侧壁反光镜DUV LED
本发明属于光电子器件领域，具体是一种基于3D打印制备侧壁反光镜DUV LED。提供MOCVD或MBE生长的具有AlN缓冲层、n‑AlGaN层、多周期的Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/Al<...
卢太平朱亚丹周小润许并社
一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法
本发明公开了一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法，该材料结构包括在蓝宝石衬底上依次层叠生长低温成核层、非故意掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/两部法的低温GaN/高温GaN组成的多量子阱层、电子阻挡层、p...
卢太平朱亚丹许并社 周小润
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0