王晓中
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺核科学技术化学工程更多>>
- 第一性原理方法研究He掺杂Al晶界力学性质被引量：3
- 2011年
- 基于密度泛函理论方法,本文开展了氦掺杂AlΣ3((111)/180°)晶界数值模拟拉伸试验.计算结果表明,He在晶界中最低杂质形成能为2.942eV,偏析到晶界的偏析能为0.085eV;在拉伸条件下,清洁Σ3晶界的理论拉伸强度为9.65GPa,拉伸断裂从晶界界面开始;而He掺杂后,晶界的理论拉伸强度下降到7.14GPa,在断裂发生前应力曲线中出现平台效应,拉伸断裂从包含He杂质的界面开始.通过对比键长和电荷密度分布,本文认为He的满壳层电子结构一方面导致了He与Al之间仅有弱的电荷相互作用,另一方面He满壳层电子结构的电荷屏蔽效应也导致了周围Al—Al键的弱化,这是系统拉伸强度下降的主要原因.
- 王晓中林理彬何捷陈军
- 关键词：HE晶界第一性原理计算力学性质
- 质子辐照镁铝尖晶石透明陶瓷缺陷形成及其行为研究
- 镁铝尖晶石透明陶瓷不但具有良好的光学透过率和机械性能,而且还具有十分优良的电绝缘性能以及化学稳定性,它是一种理想的红外系统和聚变系统的窗口的材料,因此研究其辐照效应是非常必要的。本文以辐照的能量为7.5-18MeV,总注...
- 郭英杰刘强王晓中王玲珑何捷张雷林理彬
- 关键词：质子辐照F心
- 文献传递
- 镁铝尖晶石透明陶瓷辐照缺陷的热释光研究
- 镁铝尖晶石透明陶瓷以其具有良好的光学透过率和机械性能而成为红外系统和聚变系统窗口的最佳候选材料,了解其辐照后缺陷状态分布是非常必要的。而材料热释光的峰值与陷阱深度有关,可以通过材料热释光曲线了解固体中陷阱状态分布的确切信...
- 王玲珑郭英杰刘强王晓中何捷张雷林理彬
- 关键词：热释光电子辐照
- 文献传递
- 单斜型二氧化钒材料光电性质的理论研究
- 2010年
- 采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法(SCC-DV-X_a-ECM)对单斜型VO_2的电子结构和光电性质进行了计算。计算结果表明,单斜型VO_2带隙宽度为0.4411 eV,费米能级在带隙中间以上0.00365 eV靠近导带处,和实验数据符合得很好。单斜型VO_2的总能(-568.18 eV)比金红石型VO_2(-470.33 eV)小,说明外加能量如升高温度会使单斜型VO_2相变至金红石型VO_2。吸收系数在低频率段和实验情形符合得很好,光电导率在2.5～13.5 eV的变化趋势和其他的理论分析是一致的。
- 王晓中何捷刘强宋婷婷王玲珑郭英杰林理彬
- 关键词：光电性质二氧化钒
- 退火温度对VO_X薄膜结构及光学性质的影响被引量：1
- 2009年
- 以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%,质量百分比)为原料,采用真空蒸发--还原工艺,在不同退火温度下还原出不同组分的VOX薄膜。利用X射线衍射仪,X射线光电子能谱仪和紫外-可见分光光度计对薄膜进行测试和分析,得到了不同退火温度与薄膜结构和其光学特性的关系。结果显示:V2O5中的V5+随着退火温度的上升被还原,退火温度为450℃时,V4+含量最高,结晶最好,500℃时,薄膜组分表现出逆退火现象,温度进一步升高,钒再次被还原。
- 张雷何捷王玲珑刘强王晓中郭英杰
- 关键词：真空蒸镀退火温度禁带宽度
