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吴丽娟

作品数：33 被引量：5H指数：1
供职机构：长沙理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金四川省重点科技攻关项目湖南省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学政治法律电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 17篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇政治法律
  • 1篇文化科学

主题

  • 11篇电荷
  • 10篇导通
  • 10篇导通电阻
  • 10篇电阻
  • 10篇功率器件
  • 10篇比导通电阻
  • 8篇半导体
  • 8篇半导体功率器...
  • 7篇电荷平衡
  • 6篇击穿电压
  • 5篇耐压
  • 4篇电场
  • 4篇高耐压
  • 4篇SOI
  • 3篇面电荷
  • 3篇界面电荷
  • 3篇高压器件
  • 3篇功率半导体
  • 3篇功率半导体器...
  • 3篇半导体器件

机构

  • 16篇长沙理工大学
  • 12篇成都信息工程...
  • 10篇电子科技大学
  • 1篇北京邮电大学
  • 1篇四川大学
  • 1篇南宁职业技术...
  • 1篇中华人民共和...
  • 1篇微电子有限公...

作者

  • 32篇吴丽娟
  • 6篇张波
  • 6篇李肇基
  • 4篇胡盛东
  • 4篇陈祝
  • 3篇聂海
  • 3篇宋月
  • 3篇杨航
  • 2篇乔明
  • 2篇李泽宏
  • 2篇胡曦
  • 2篇常政威
  • 2篇谢晓娜
  • 1篇袁爱平
  • 1篇王振宇
  • 1篇方伟
  • 1篇唐俊龙
  • 1篇谢海情
  • 1篇唐先忠
  • 1篇石琴

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇固体电子学研...
  • 2篇西南民族大学...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇电子制作
  • 1篇成都信息工程...
  • 1篇微电子学
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2019
  • 6篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2013
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 2篇2006
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有变k埋层的高耐压低比导横向部分超结功率器件
本发明涉及的高耐压低比导部分超结功率器件属于半导体功率器件技术领域。本发明是在常规部分超结结构中引入变<I>k</I>埋层，在开态时，部分超结提供电流的低阻通道，降低器件的比导通电阻；关态时，低<I>k</I>埋层可以提...
吴丽娟吴怡清朱琳黄也雷冰张银艳
文献传递
一种SOI-RFLDMOS器件的设计
2008年
设计了一种基于SOI的RFLDMOS功率器件,建立了该器件的信号模型,分析了该器件的静态参数、动态参数和功率输出特性.借助仿真器,得到所研制的SOI-RFLDMOS耐压为95.9V、频率945MHz、输出功率30W、功率附加增益16.06dB等.
吴丽娟李泽宏张波李肇基
关键词：功率增益
一种低功耗的横向阶梯分离栅器件结构
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种低功耗的横向阶梯分离栅器件结构。本发明主要特征在于：具有两个阶梯的分离栅且阶梯分离栅位于N漂移区的氧化槽中，中间用二氧化硅相互隔离并且以阶梯状分布；两个平面栅以镶嵌在氧化槽中的槽...
吴丽娟吴海凤曾金胜陈星苏绍连刘清
一种带有双栅的变K槽型LDMOS
本发明涉及的带有双栅的变K槽型LDMOS属于功率半导体器件技术领域。本发明相对于传统结构具有以下三个特点：（1）在N型漂移区引入双介质槽以折叠漂移区，提高器件的耐压。（2）利用双RESURF技术在双槽之间引入的垂直P柱可...
吴丽娟朱琳黄也吴怡清张银艳雷冰
文献传递
I层厚度对SOI RF LDMOS参数影响的分析
基于SOI优良的抗辐射性能，所以SOI RF LDMOS器件广泛应用于高可靠性的射频系统。本文对不同的I层厚度对SOI RF LDMOS的输入电容、跨导和截止频率等参数的影响进行了分析，分析结果表明：随着I层厚度的增加，...
方伟吴丽娟李泽宏
关键词：输入电容截止频率射频系统绝缘硅
文献传递
基于科研主导型的半导体功率器件研究生创新人才培养模式的研究
基于科研主导型的半导体功率器件研究生创新人才培养模式的研究，从五个方面展开：1.导师导生制;2.项目制;3.教学实践;4.专业见习;5.联合培养.科研主导型创新人才的培养要尊重个人选择，鼓励个性发展，不拘一格培养人才，真...
吴丽娟曾金胜唐俊龙谢海情邹望辉白创蒋琳嫒
关键词：半导体功率器件
一种具有阶梯分离栅L型槽横向器件
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有阶梯分离栅L型槽功率器件。本发明主要特征在于：在漂移区中引入阶梯栅构成金属‑半导体‑氧化物(MIS)结构。在关态时，栅极浮空场板自适应漂移区中的施主离子，起到辅助耗尽漂移区作...
吴丽娟丁启林黄也朱琳陈家祺
文献传递
一种变压器漏油检测方法
本发明公开了一种变压器漏油检测方法，所述方法包括：S1：获取变压器检测区未漏油时的图像信息；S2：获取变压器检测区当前图像信息，将未漏油时的图像信息与当前图像信息进行比较和处理，获得检测区的漏油方向信息和检测区的颜色信息...
谢晓娜常政威吴丽娟
一种高耐压低比导的高K功率器件
本发明涉及的高耐压低比导的高K功率器件属于功率半导体器件技术领域。本发明在漂移区引入高K介质槽以辅助耗尽漂移区降低器件的导通电阻，还可以调制器件的体内电场分布来提高器件的击穿电压。在高K介质槽下界面引入的高浓度N型条，开...
吴丽娟袁娜杨航胡利民宋月雷冰张银艳章中杰
文献传递
PTPD/Alq_3异质结掺杂器件载流子的复合与发射
2010年
以新型的空穴传输材料PTPD(三苯基二胺衍生物聚合物)制成了ITO(氧化铟锡)/PTPD/Alq3(8-羟基喹啉铝)/Mg:Ag异质结电致发光器件,以高效荧光材料Rubrene(红荧烯)为掺杂剂和标志物。研究了异质结掺杂有机电致发光器件载流子的复合区域,并基于电致发光(EL)光谱,认为掺杂器件的发射为载流子陷阱和F rster能量转换过程的共同作用。
聂海陈祝吴丽娟
关键词：微电子异质结
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