江海峰
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 供职机构：广西大学物理科学与工程技术学院更多>>
- 发文基金：广西大学科学技术研究重点基金国家自然科学基金广西壮族自治区科学研究与技术开发计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 含V和Cu的TiAl基合金中缺陷和3d电子行为的正电子湮没研究被引量：1
- 2008年
- 通过测量过渡金属元素(Ti,V,Cu)以及TiAl基合金(Ti50Al50,Ti50Al48V2,Ti50Al48Cu2)的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱和寿命谱,获得了这些金属及合金中3d电子和缺陷的信息.结果表明,过渡金属元素Ti,V,Cu原子中3d轨道的电子数目越多,正电子湮没辐射Doppler展宽谱的3d信号越强.二元TiAl合金的电子密度和3d电子的信号较低,晶界缺陷的开空间较大.在TiAl合金中加入V或Cu,合金中的3d电子信号增强,基体和晶界处的电子密度均增加.Ti50Al48Cu2合金的多普勒展宽谱的3d电子信号高于Ti50Al48V2合金.
- 邓文陈真英江海峰孙顺平祝莹莹黄宇阳
- 关键词：TIAL合金正电子湮没
